[发明专利]选择性吸收腔式集热器无效
| 申请号： | 201210279644.X | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103574949A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 项晓东;张融 | 申请（专利权）人： | 益科博能源科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | F24J2/48 | 分类号： | F24J2/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择性 吸收 腔式集热器 | ||
【权利要求书】：
1.一种选择性吸收腔式集热器，其特征在于，包括：
集热腔体和涂覆在所述集热腔体吸热表面的选择性吸收涂层；
所述选择性吸收涂层包括金属反射层和在所述金属反射层上形成的半导体吸收层。
2.根据权利要求1所述的集热器，其特征在于，所述半导体吸收层为Ge、Si、PbS、Ag2S、Cu2S、TiS2或MnS2中任一种半导体材料或其组合。
3.根据权利要求1所述的集热器，其特征在于，所述金属反射层由Au、Al、Cu、Al、W、Pt中任一种低发射率的金属制成。
4.根据权利要求1所述的集热器，其特征在于，所述集热腔体表面和金属反射层之间设有粘附层。
5.根据权利要求1所述的集热器，其特征在于，所述金属反射层和半导体吸收层之间设有缓冲层。
6.根据权利要求5所述的集热器，其特征在于，所述缓冲层采用惰性金属或所述金属反射层的氧化物制成。
7.根据权利要求1所述的集热器，其特征在于，所述半导体吸收层和抗氧化层之间设有增透膜。
8.根据权利要求7所述的集热器，其特征在于，所述增透膜由Mg F2、AlN-Al、Al2O3、Al2O3-W任一种材料制成。
9.根据权利要求1所述的集热器，其特征在于，所述选择性吸收涂层表面设有抗氧化层。
10.根据权利要求1所述的集热器，其特征在于，所述集热器的工作温度为250-500℃。
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