[发明专利]半导体发光结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光结构的制造方法，其步骤包括：

提供一第一基板；

于该第一基板上形成一磊晶层，其中该磊晶层包括一第一电性半导体层、一第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的一第一发光层；

分割该磊晶层，而定义出一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，并暴露出部分该第一电性半导体层，其中该第一电性半导体层的暴露部分上具有一第一接触区，该第二电性半导体层上具有一第二接触区；以及

形成一导电支撑结构，覆盖该第一接触区及该第二接触区，使得该第一磊晶结构电性耦合该第二磊晶结构。

2.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于：其步骤更包括形成一第一奥姆接触层于该第一接触区上，使得该导电支撑结构电性耦合该第一奥姆接触层，并直接奥姆接触该第二接触区。

3.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于：其步骤更包括形成一第二奥姆接触层于该第二接触区上，使得该导电支撑结构电性耦合该第二奥姆接触层，并直接奥姆接触该第一接触区。

4.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于其步骤更包括：

于形成该磊晶层的步骤中，形成一第三电性半导体层于该第二电性半导体层上，且其之间具有一第二发光层，其中该第三电性半导体层与该第一电性半导体层具有相同电性，并与该第二电性半导体层具有相反电性；

于分割该磊晶层的步骤中，同时暴露出部分该第二电性半导体层，其中该第三电性半导体层上具有一第三接触区；以及

于形成该导电支撑结构的步骤中，同时覆盖该第一磊晶结构上的该第三接触区及该第一接触区，以及该第二磊晶结构上的该第二接触区。

5.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于其步骤更包括：

形成一第二绝缘结构，用以覆盖该导电支撑结构，但暴露部分的该导电支撑结构；

提供一第二基板，电性耦合该导电支撑结构的暴露部分；以及

移除该第一基板，用以暴露出该等磊晶结构的一侧。

6.如权利要求5所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于其步骤更包括将该等磊晶结构的该侧进行一粗糙化制程。

7.如权利要求5所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于：其步骤更包括形成一电极于该第二磊晶结构或该第一磊晶结构的该侧。

8.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于：形成该导电支撑结构的方法包括进行一电镀或蒸镀制程。

9.一种半导体发光结构，其包括：

一第一磊晶结构，具有一第一接触区；

一第二磊晶结构，具有一第二接触区；以及

一导电支撑结构，包覆该第一接触区及该第二接触区，使得该第一磊晶结构电性耦合该第二磊晶结构。

10.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于：所述半导体发光结构更包括一第一奥姆接触层，形成于该第一接触区上，且该导电支撑结构电性耦合该第一奥姆接触层，并直接奥姆接触该第二接触区。

11.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于：所述半导体发光结构更包括一第二奥姆接触层，形成于该第二接触区上，且该导电支撑结构电性耦合该第二奥姆接触层，并直接奥姆接触该第一接触区。

12.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于：所述半导体发光结构更包括一第一奥姆接触层及一第二奥姆接触层，分别形成于该第一接触区及该第二接触区上，其中该导电支撑结构的材料与该第一奥姆接触层或该第二奥姆接触层的材料相同。

13.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于该第一磊晶结构及该第二磊晶结构皆包括：

一第一电性半导体层，具有该第一接触区；

一第二电性半导体层，具有该第二接触区，并与该第一电性半导体层具有相反电性；以及

一第一发光层，位于该第一电性半导体层及该第二电性半导体层之间。