[发明专利]一种闪存隧道氧化层的制备方法有效
| 申请号： | 201210279231.1 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103578950B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 隧道 氧化 制备 方法 | ||
1.一种闪存隧道氧化层的制备方法，包括：
提供半导体衬底；
氮注入或者氮等离子掺杂所述半导体衬底，形成氮掺杂区；
高温氧化所述氮掺杂区，形成氮氧化物层；
等离子氮化所述氮氧化物层，以形成顶部和底部富含氮的隧道氧化层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述高温氧化步骤前还包括预清洗所述氮注入或者氮等离子掺杂后的半导体衬底的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氮注入或者氮等离子掺杂步骤前还包括在半导体衬底上形成掩膜材料层的步骤，以保护不进行氮注入或者氮等离子掺杂的区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述氮注入或者氮等离子掺杂步骤后还包括去除所述掩膜材料层的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述高温氧化步骤前还包括一热退火步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述热退火步骤的温度为900-1200℃。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述热退火步骤的时间为1-180s。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述热退火步骤选用氮气或惰性气体作为保护气体。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述等离子氮化步骤后还包括一退火步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮注入的离子能量为1kev-10kev，氮注入的离子剂量为5×1014-5×1016原子/cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
