[发明专利]显示器有效
申请号: | 201210279038.8 | 申请日: | 2012-08-07 |
公开(公告)号: | CN103247657A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 舒芳安;蔡燿州;唐文忠;辛哲宏 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 | ||
技术领域
本发明是有关于一种电致发光显示单元(transparent electroluminescent display unit) 及其应用,且特别是有关于一种透明显示器的透明电致发光显示单元及其应用。
背景技术
透明显示器(transparent display)本身含有一定程度的光穿透性。因此除了原有的显示功能外,更拥有能显示画面后方背景的特性,可应用于,例如建筑物的玻璃外墙、车辆窗户及商店橱窗等,也可做为大型商业展示之用。由于透明显示器在设计与性能方面,可展现许多现有显示器技术难以实现的功能与情境,预期未来将取代部分现有显示器,而广泛地被消费性电子产品,例如智能型手机、笔记型计算机等,可携式电子组件所采用。
有机发光二极管具有制程简单、轻、薄、可挠、多彩以及自发光层为透明材质等优势,目前已逐渐成为制作透明显示器的主要光源。一般传统的有机发光二极管为了使载子注入平衡,因此在结构设计上,多会采用底部为高功函数的氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)透明阳极;而为了增加透明显示器的透光度,一般会采用透明或半透明的阴极材料,例如氧化铟锡透明电极取代传统的阴极金属层。
然而,由于以氧化铟锡为主的透明阴极材料,较难形成于有机发光层上,因此目前仍无法建立量产技术。加上,现有的透明显示器的显示内容,可同步地显示在透明显示器的正反两面,对于注重隐私而不希望显示内容从显示器背面外露的使用者而言,更是一大困扰。
因此,有需要提供一种制程简单,具有同时显示画面内容及背景透光的功能,且还能兼顾使用者的隐私的透明显示器。
发明内容
本发明是在提供一种显示器,包括一驱动基板以及一有机发光二极管组件。此驱动基板具有一显示区与一非显示区,且包括一基材及一透明驱动组件。其中,透明驱动组件设置于非显示区,用以形成一透明区域;而此有机发光二极管组件,则设置于驱动基板上,且位于显示区,用以形成一不透明区域。
在本发明的一实施例之中,有机发光二极管组件包括: 透明电极、有机电致发光层以及不透光金属层。其中,透明电极,位于基材上;有机电致发光层位于透明电极上;不透光金属层位于有机电致发光层上。
在本发明的一实施例之中,透明驱动组件包含一个第一透明薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、一个第二透明薄膜晶体管以及多个透明电路层。其中,第一透明薄膜晶体管位于基材上,并与有机发光二极管组件电性连结;多个透明电路层也位于基材上,且与透明薄膜晶体管电性连结;第二透明薄膜晶体管,位于基材上,且与第一透明薄膜晶体管及该多个透明电路层电性连结。
在本发明的一实施例之中,该多个透明电路层可构成一个透明电路组件。且此一透明电路组件包括一透明电容器。
在本发明的一实施例之中,透明电路组件更包括一透明晶体管、一透明电容器、一透明电源供应线(power supply line)、一透明数据线(data line)、一透明扫描线(scan line)、一透明电容线(Cs line)或上述组件的任意组合。
在本发明的一实施例之中,驱动基板更包括:钝化层以及导线。其中,钝化层覆盖该透明驱动组件,并位于有机发光二极管组件与透明驱动组件之间。导线则穿透钝化层,以电性连结有机发光二极管组件和第一透明薄膜晶体管。
在本发明的一实施例之中,每一个透明电路层都包含铬化钼(MoCr)薄层和氧化铟锡层。
在本发明的一实施例之中,第一透明薄膜晶体管和第二透明薄膜晶体管二者,都包括:透明栅极、透明栅绝缘、透明源极、透明漏极以及透明通道。其中,透明栅极位于基材之上;透明栅绝缘位于透明栅极之上;透明源极位于透明栅绝缘之上;透明漏极位于透明栅绝缘之上,并与透明源极分离;透明通道位于透明栅绝缘之上,并与透明源极和透明漏极接触。
在本发明的一实施例之中,透明栅极、透明源极和透明漏极,均包含铬化钼薄层和氧化铟锡层;且透明通道由包含有铟、镓、锌或三者之任意组合的氧化半导体材质所构成。
在本发明的一实施例之中,此氧化半导体材质,选自于氧化铟 (InO)、氧化镓(GaO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO)、氧化镓锌(GaZnO)、氧化铟镓(InGaO)和氧化铟锌(InZnO)所组成的一族群。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的