[发明专利]微结构化器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210278853.2 申请日: 2012-08-06
公开(公告)号: CN102982727A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 阿尔博特·阿革帝亚;莉莉·奥博伊尔;科尼利斯·简·德尔斯特;劳伦斯·霍尔顿 申请(专利权)人: JDS尤尼弗思公司
主分类号: G09F3/02 分类号: G09F3/02;B32B3/30;B81C1/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑小粤
地址: 美国加利福尼亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 微结构 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种防伪器件,所述防伪器件包括:

支撑基底层,所述支撑基底层由具有第一软化温度t1的第一种材料制造;

浮雕层,所述浮雕层由所述支撑基底支撑,并由具有第二软化温度t2的不同的第二种材料制造,其中t2<t1;和

薄膜涂层,所述薄膜涂层被沉积在所述浮雕层上,其中所述浮雕层能被溶解于溶剂中,并且其中所述薄膜涂层不会被所述溶剂溶解。

2.根据权利要求1所述的防伪器件,其中所述薄膜涂层被直接沉积在所述浮雕层的表面。

3.根据权利要求2所述的防伪器件,其中所述浮雕层与所述支撑基底层接触。

4.根据权利要求2所述的防伪器件,其中所述浮雕层的至少一部分区域的厚度是至少500nm。

5.根据权利要求1所述的防伪器件,其中所述第一种材料是聚合物箔。

6.根据权利要求1所述的防伪器件,其中所述支撑基底层和所述浮雕层是DUN-TRANTM转移膜。

7.根据权利要求6所述的防伪器件,其中所述DUN-TRANTM转移膜具有至少400nm的可浮雕厚度。

8.根据权利要求7所述的防伪器件,其中所述薄膜涂层具有多个层。

9.根据权利要求2所述的防伪器件,其中所述薄膜涂层是色移涂层。

10.根据权利要求2所述的防伪器件,其中所述浮雕层被浮雕,使得形成多个限定了边缘或框架的相同形状的结构,所述边缘或框架利于断裂,以形成实质上相同形状的薄片。

11.根据权利要求10所述的防伪器件,其中所述浮雕层具有压印在其中的全息图或光栅。

12.一种防伪器件,所述防伪器件包括:

支撑基底层,所述支撑基底层由具有第一软化温度t1的第一种材料制造;

浮雕层,所述浮雕层由具有第二软化温度t2的不同的第二种材料制造,并且由所述支撑基底支撑,并且与所述支撑基底直接接触,其中t2<t1;和

具有一个层或多个层的薄膜涂层,所述薄膜涂层用于在所述浮雕层上直接沉积形成薄片,其中所述浮雕层可以被溶解于溶剂中,并且其中所述薄膜涂层不会被所述的溶剂溶解。

13.一种制造具有在其中形成的微结构的防伪器件的方法,所述的方法包括:

提供具有第一基底层和第二层的网,所述第一基底层具有第一软化温度Tg1,所述第二层由所述第一基底层支撑,由具有第二软化温度Tg2的与所述第一基底层的材料不同的材料制造,Tg2<Tg1,其中所述第二层具有至少300nm的厚度;

在卷到卷的过程中,在没有热和压力的情况下,对所述第二层进行浮雕,以在其中形成浮雕的微结构;

在浮雕的所述第二层上没有释放层,使用薄膜涂层直接涂覆所述第二层的表面,使得所述薄膜涂层的至少一层与在所述第二层中形成的微结构适形;

使用溶剂溶解所述第二层,以从所述第二层释放所述薄膜涂层,其中选择所述溶剂,使得所述薄膜涂层不会被所述溶剂溶解。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述薄膜涂层包括多个层。

15.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括将所述薄膜涂层断裂或压碎成在其上具有微结构的薄片的步骤。

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