[发明专利]EL器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及EL器件的制造方法，特别地，涉及用于EL器件制造过程中的气相沉积的方法和装置。

背景技术

近年来，有机EL显示器件已开始被安装于具有各种功能的移动电话等中。有机EL显示器件具有图像质量高、能够显示影像、功耗低等的优点，因此，除了移动电话以外，还已开始被用于电视系统、数字照相机和车内显示器等中。

有机EL显示器件被以如下方式制造，即与液晶显示器件同样地，在玻璃基板上形成薄膜晶体管（TFT）阵列，在其上沉积像素电极和用作发光层的有机膜。一般通过真空沉积形成有机膜。为了制造彩色显示器件，通过具有开口的掩模在各像素位置上真空沉积红色、绿色和蓝色有机发光材料。

显示器的分辨率变得越来越精细，并且，3英寸VGA显示器正投入使用。在这种情况下，像素间距为约100μm。因此，用于真空沉积的掩模的开口的尺寸和间距的精度被设为极高。

在气相沉积中，基板和掩模被紧密接触地放置或被以充分小于开口的尺寸的距离紧邻地放置。基板与掩模之间的长距离导致蒸镀物（evaporant）到达掩模开口缘边（rim）周围并沉积于其上，由此损害沉积图案的边缘的锐度。这也导致相邻的像素之间的颜色混合。

由于掩模由具有100μm或更小的厚度的薄金属箔形成以获得精确的沉积图案，因此，当掩模被保持紧邻基板时，畸变易于出现。并且，由于从蒸镀源（evaporation source）产生的辐射热，掩模易于膨胀和变形。畸变和变形导致掩模的开口的位置偏移或导致其形状变形，由此降低气相沉积的精度。

掩模一般被固定于框架（框架部件）上，并且通过张力的施加被保持以消除畸变和变形。日本专利公开No.2003-068453公开了沿狭缝状开口的纵向施加张力使得可维持开口的位置和形状，由此增加沉积图案的精度。

考虑到生产效率的提高，玻璃基板的尺寸正变大；例如，使用具有G4Q尺寸（365mm×460mm）、G3尺寸（550×670mm）和G4尺寸（730×920mm）的大基板。但是，增加掩模尺寸以适于这种大基板使得开口间距的精度降低。并且，难以使得掩模与基板均匀地紧密接触或紧邻该基板。

日本专利公开No.2010-116591公开了一种气相沉积方法，其中大的基板的沉积区域被分割成多个区段。每当逐步移动基板时，通过使用比基板小的掩模重复进行气相沉积。但是，其中大的基板的沉积区域被分割成多个区段的气相沉积方法在分割后的区段中的每一个上执行气相沉积，因此花费许多时间以执行气相沉积。

并且，由于一般从水平放置的基板执行气相沉积，因此，掩模被放置为与基板的下表面紧密接触或紧邻该下表面。因此，大的基板当被水平保持时偏斜，因此，在各个分割后的区段上执行气相沉积导致基板与掩模的之间距离根据沉积位置改变，由此使得难以跨着整个基板执行均匀的气相沉积。

发明内容

本发明提供了一种在基板上以矩阵形式排列的多个区段中的每一个中形成的EL器件的制造方法，该方法包括以下的步骤：通过保持于基板和与基板相对的蒸镀源之间的掩模将蒸镀物沉积于基板上，该掩模具有列方向的所有区段的沉积图案作为开口，其中，在一次一列地沿区段的行方向移动基板的同时重复该步骤。

本发明提供了一种用于在基板上以矩阵形式排列的多个区段中的每一个中形成沉积图案的气相沉积方法，该方法包括以下的步骤：通过保持于基板和与基板相对的蒸镀源之间的掩模将蒸镀物沉积于基板上，该掩模具有列方向的所有区段的沉积图案作为开口，其中，在一次一列地沿区段的行方向移动基板的同时重复该步骤。

本发明提供一种气相沉积装置，该气相沉积装置包括：蒸镀源；矩形掩模；固定矩形掩模的短边并通过沿纵向施加张力保持矩形掩模的掩模框架；基板支撑单元，该基板支撑单元沿矩形掩模的两个短边的延长线被设置，并且通过基板支撑单元的相对的两个边支撑长度比矩形掩模的短边大的基板；以预定的距离沿基板的长度方向移动基板支撑单元的移动机构；以及调整矩形掩模和基板的相对位置的对准单元。

根据本发明的实施例，对于大的基板，也可在短时间内以高的精度形成沉积图案。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的EL器件制造过程中的气相沉积过程的示图。

图2是示出在各区段中形成的有机EL显示器件的示图。

图3是示出基板上的气相沉积区段的示图。

图4是示出掩模的开口的形状和布置的示图。