[发明专利]像素电路及其驱动方法和有机发光显示器有效

专利信息
申请号: 201210277784.3 申请日: 2012-08-06
公开(公告)号: CN102789761A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 李天马;祁小敬 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;赵爱军
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 有机 发光 显示器
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机发光显示领域,尤其涉及一种像素电路及其驱动方法和有机发光显示器。

背景技术

现有的像素单元驱动电路如图1所示,该驱动电路包括两个晶体管和一个电容,其中一个晶体管为开关管T1,由扫描线输出的扫描信号Vscan所控制,目的是为了控制数据线Data上的数据信号Vdata的输入,另一个晶体管为驱动管T2,控制OLED(有机发光二极管,Organic Light-Emitting Diode)发光;Cs为存储电容,用于在非扫描期间维持对驱动管T2所施加的电压,上述电路被称为2T1C像素单元驱动电路。

AMOLED能够发光是由驱动晶体管在饱和状态时产生的电流所驱动,因为输入相同的灰阶电压时,所述驱动晶体管的不同的阈值电压会导致产生不同的驱动电流,造成电流的不一致性。而LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅技术)制程上阈值电压Vth的均匀性非常差,同时Vth也有漂移,因此传统的2T1C像素单元驱动电路的亮度均匀性一直很差。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种像素电路及其驱动方法和有机发光显示器,以提高有机发光显示器的亮度均匀度。

为了达到上述目的,本发明提供了一种像素电路,包括驱动薄膜晶体管、发光控制单元、驱动控制单元、存储电容、第一电容和有机发光二极管,其中,

所述驱动薄膜晶体管,栅极与所述存储电容的第一端连接,源极与所述发光控制单元的第一端连接,漏极与所述驱动控制单元的第一端连接;

所述存储电容的第二端与所述第一电容的第一端连接;

所述发光控制单元,第二端与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接,第三端与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接,第四端接地,控制端与发光控制线连接;

所述驱动控制单元,第二端与所述有机发光二极管的阴极连接,第三端与所述驱动薄膜晶体管的源极连接,第四端与数据线连接,控制端与扫描线连接;

所述第一电容的第二端接地;

所述有机发光二极管与驱动电源的高电平输出端连接。

实施时,所述发光控制单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;

所述第一薄膜晶体管,栅极与发光控制线连接,源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接,漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接;

所述第二薄膜晶体管,栅极与发光控制线连接,源极接地,漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。

实施时,所述驱动控制单元包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管;

所述第三薄膜晶体管,栅极与扫描线连接,源极与数据线连接,漏极与所述存储电容的第二端连接;

所述第四薄膜晶体管,栅极与扫描线连接,源极与所述有机发光二极管的阴极连接,漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接;

所述第五薄膜晶体管,栅极与扫描线连接,源极与所述存储电容的第二端连接,漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。

实施时,所述第一薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管是p型TFT,所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管是n型TFT。

本发明还提供了一种有机发光显示器,包括上述的像素电路。

本发明还提供了一种驱动方法,应用于上述的像素电路,包括以下步骤:

发光控制单元和驱动控制单元控制驱动薄膜晶体管进入饱和状态;

驱动控制单元控制使得存储电容的第一端与第二端之间的电压差值为驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth;

驱动控制单元和发光控制单元控制驱动薄膜晶体管驱动OLED发光,并使得驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压,Vdata为数据线的输出电压。

实施时,发光控制单元和驱动控制单元控制驱动薄膜晶体管进入饱和状态步骤包括:扫描线和发光控制线输出低电平,发光控制单元控制导通驱动薄膜晶体管的栅极与漏极之间的连接,驱动控制单元控制导通驱动薄膜晶体管的漏极与OLED之间的连接,使得驱动薄膜晶体管进入饱和状态;

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