[发明专利]基于绝缘栅双极晶体管/场效应晶体管的节能设备、系统和方法有效

专利信息
申请号: 201210277517.6 申请日: 2008-08-05
公开(公告)号: CN102832825A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 约翰·L·拉姆斯登 申请(专利权)人: 智能动力股份有限公司
主分类号: H02M5/293 分类号: H02M5/293
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李春晖;李德山
地址: 美国佛*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 基于 绝缘 双极晶体管 场效应 晶体管 节能 设备 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种节能设备,包括:

至少一个相输入连接,被配置成输入具有至少一个模拟信号的预定量的能量:

至少一个过零伏点检测器,被配置成确定所述至少一个模拟信号的至少一个过零伏点;

至少一个半周识别器,被配置成识别所述至少一个模拟信号的至少一个正半周和所述至少一个模拟信号的至少一个负半周;

至少一个逻辑设备,被配置成将所述至少一个模拟信号的所述至少一个正半周和所述至少一个模拟信号的所述至少一个负半周发送到被配置成处理所述至少一个模拟信号的至少一个数字信号处理器;

至少一个驱动控制,被配置成通过向所述至少一个模拟信号提供脉冲宽度调制来减少所述预定量的能量,以产生减小的能量,其中所述至少一个驱动控制与所述至少一个数字信号处理器电连接;以及

至少一个相输出连接,被配置成输出所述减小的能量,

其中所述至少一个驱动控制包括正半周控制晶体管、负半周控制晶体管、第一分流控制晶体管和第二分流控制晶体管,所述正半周控制晶体管被配置成向所述至少一个模拟信号的所述至少一个正半周提供脉冲宽度调制,所述负半周控制晶体管被配置成向所述至少一个模拟信号的所述至少一个负半周提供脉冲宽度调制,所述第一分流控制晶体管和所述第二分流控制晶体管被配置成发送开关,以箝位反电动势。

2.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

至少一个感测装置,用于感测所述预定量的能量。

3.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

至少一个模拟信号调节设备,被配置成调节用于输入到所述至少一个半周识别器的所述至少一个模拟信号。

4.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

至少一个缺相检测设备,被配置成准备用于输入到所述至少一个半周识别器的所述至少一个模拟信号。

5.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

至少一个相位旋转设备,被配置成准备用于输入到所述至少一个半周识别器的所述至少一个模拟信号。

6.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

与所述节能设备电连接的至少一个电源单元,被配置成为所述节能设备供电。

7.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

与所述至少一个驱动控制电连接的至少一个浮动电源。

8.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

与所述节能设备电连接的至少一个计算设备。

9.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

与所述至少一个数字信号处理器电连接的至少一个通信接口。

10.根据权利要求1所述节能设备,还包括:

与所述至少一个数字信号处理器电连接的至少一个复位开关。

11.根据权利要求10所述的节能设备,还包括:

与所述至少一个复位开关电连接的至少一个发光二极管。

12.根据权利要求1所述的节能设备,还包括:

与所述至少一个数字信号处理器电连接的至少一个数字量电计。

13.根据权利要求1所述的节能设备,

其中所述正半周控制晶体管和所述负半周控制晶体管是IGBT设备。

14.根据权利要求1所述的节能设备,

其中所述正半周控制晶体管和所述负半周控制晶体管是FET设备。

15.根据权利要求1所述的节能设备,

其中所述第一分流控制晶体管和所述第二分流控制晶体管是IGBT设备。

16.根据权利要求1所述的节能设备,

其中所述第一分流控制晶体管和所述第二分流控制晶体管是FET设备。

17.根据权利要求1所述的节能设备,

其中所述至少一个数字信号处理器包括至少一个实时时钟。

18.根据权利要求1所述的节能设备,

其中所述至少一个数字信号处理器包括至少一个模数转换器。

19.根据权利要求1所述的节能设备,

其中所述至少一个数字信号处理器与所述至少一个逻辑设备电连接。

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