[发明专利]优质滁菊穴盘扦插育苗的方法

权利要求书

1.优质滁菊穴盘扦插育苗的方法，包括下述步骤：

（1）在脱毒滁菊母株上截取顶端6-7cm长的茎杆鲜嫩的滁菊穗条，留存三叶一心；

（2）将采摘好的穗条放入容器盆中，用生根剂和杀菌剂的混合溶液浸泡3-5min；

（3）将处理好的穗条扦插在由蛭石和珍珠岩均匀混合而成的穴盘基质内，扦插深度2-4cm，穗条插在穴盘每个孔的中心部位，一孔一根穗条；

（4）浇水勤，水量少，每2-3小时浇水一次，使穴盘基质湿度保持在80%，6-8天后，观察菊苗穗条底部有1-3cm的白须根时，菊苗进入生根期，此时浇水次数相应减少，一天2-3次，保持生长温度不高于35℃；

（5）当菊苗根须在2-4cm时，控制基质的水分，使基质湿度保持在60%；

（6）15-25天后，抽样查看，拔起菊苗，每株根系可将基质全部盘起，不散落，说明根系已达到移栽的要求，即可出苗。

2.如权利要求1所述的优质滁菊穴盘扦插育苗的方法，其特征在于：步骤（2）中，所述生根剂和杀菌剂的混合溶液中，生根剂、杀菌剂和水的重量比为1:10:10000。

3.如权利要求1所述的优质滁菊穴盘扦插育苗的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述穴盘采用72孔黑色聚乙烯穴盘。

4.如权利要求1所述的优质滁菊穴盘扦插育苗的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述穴盘基质为体积比1:1的蛭石和珍珠岩的均匀混合物。

5.如权利要求1所述的优质滁菊穴盘扦插育苗的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述穴盘及所述穴盘基质在混合时均喷洒消毒剂消毒；所述消毒剂采用稀释1000倍的多菌灵溶液。