[发明专利]用于堆叠裸片组合件的经重组晶片的激光辅助式分裂

权利要求书

1.一种形成堆叠裸片装置的方法，其包括：

将多个第一半导体裸片附接到晶片的表面上以形成经重组晶片；

将多个第二半导体裸片以其顶侧向下的方式接合到所述多个第一半导体裸片以形成多个附接到所述晶片的单一化堆叠裸片装置；

将支撑带附接到所述多个第二半导体裸片的底侧；

将切割带附接到所述晶片；

在所述晶片上的与所述多个第一半导体裸片之间的间隙对准的既定切割道处对所述晶片进行激光照射以机械地削弱但不切穿所述既定切割道；以及

牵拉所述切割带以沿着所述既定切割道将所述晶片分裂成多个单一化部分，其中所述多个单一化部分附接到所述切割带且各自包含所述多个单一化堆叠裸片装置中的一者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述激光照射之后将所述切割带附接到所述晶片。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述激光照射之前将所述切割带附接到所述晶片，且所述切割带是对红外线IR透明的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二半导体裸片延伸超过所述第一半导体裸片的周边或边界，且其中所述第二半导体裸片的所述顶侧包含延伸超过所述第一半导体裸片的所述周边或所述边界的接合垫。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述既定切割道在所述第一半导体裸片的所述周边或所述边界的2mm内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片包括硅载体晶片或玻璃载体晶片。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体裸片包含多个穿衬底通孔TSV。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片包括多个介入物裸片，所述多个介入物裸片各自包含多个穿衬底通孔TSV，且其中在所述牵拉所述切割带之后，所述多个介入物裸片变成单一化介入物裸片以及所述多个单一化部分的一部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述晶片包括多个硅介入物裸片，且其中在所述牵拉所述切割带之后，所述单一化介入物裸片的边缘包含激光损伤区，所述区包含微裂纹和多个多晶硅微晶。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述晶片包括多个玻璃介入物裸片，且其中在所述牵拉所述切割带之后，所述单一化介入物裸片的边缘包含激光损伤区，所述区包含多个微裂纹。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在分裂所述晶片之前，在所述牵拉所述切割带的同时，移除所述支撑带。

12.一种堆叠裸片装置，其包括：

介入物裸片，其包含多个穿衬底通孔TSV，以及

裸片堆叠，其附接到所述介入物，其中所述裸片堆叠包含以其顶侧向下的方式接合到第一半导体裸片上的第二半导体裸片，

其中所述介入物裸片的边缘包含激光损伤区。

13.根据权利要求12所述的堆叠裸片装置，其中所述介入物裸片包括硅介入物裸片，且其中所述激光损伤区包含多个微裂纹。

14.根据权利要求12所述的堆叠裸片装置，其中所述介入物裸片包括玻璃介入物裸片，且其中所述激光损伤区包含多个微裂纹。

15.根据权利要求12所述的堆叠裸片装置，其中所述第二半导体裸片延伸超过所述第一半导体裸片的周边或边界，且其中所述第二半导体裸片的所述顶侧包含延伸超过所述第一半导体裸片的所述周边或所述边界的接合垫。

16.根据权利要求12所述的堆叠裸片装置，其中所述第一半导体裸片包含多个穿衬底通孔TSV。