[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210276049.0 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103579000A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；
形成一金属镍层，以覆盖所述栅极结构以及所述源区和所述漏区；
执行一离子注入过程，以在所述栅极结构的顶部以及所述源区和所述漏区中形成金属铂层；
执行退火处理，以在所述栅极结构的顶部以及所述源区和所述漏区中形成金属镍硅化物层，其中，所述金属镍硅化物层中形成有所述金属铂层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述金属镍层之前，还包括对所述半导体衬底进行预清洗的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用物理气相沉积法或溅射法形成所述金属镍层。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述金属镍层的厚度为3-50nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在实施所述离子注入之前或者之后，还包括在形成的所述金属镍层上形成Ti/TiN保护层的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述Ti/TiN保护层的厚度为3-50nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的能量为1-40keV。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的剂量为1.0×e13-5.0×e14atom/cm2。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述退火处理包括：
对所述半导体衬底进行第一次退火；
去除未与硅发生反应的金属镍层和所述Ti/TiN保护层；
对所述半导体衬底进行第二次退火。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一次退火的温度为200-350℃，退火时间为1-50s。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二次退火的温度为400-600℃,退火时间为1-50s。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层和栅极材料层。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述金属镍层之前执行所述离子注入过程。
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