[发明专利]发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，其特征在于，还包括：

第一正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；

第一负电极，位于所述第一导电型半导体层上；

第二正电极，位于所述第一正电极的正面，至少部分与所述第一正电极在所述层叠方向上重叠和连接；以及

第二负电极，位于所述第一负电极的正面，至少部分与所述第一负电极在所述层叠方向上重叠和连接；

其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，并且所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二正电极与所述第二负电极之间在水平方向上的间距大于所述第一正电极与所述第一负电极之间在水平方向上的间距，其中所述水平方向是指与所述层叠方向垂直的方向。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二正电极的正面与所述第二负电极的正面在同一水平面上，其中所述水平面是指与所述层叠方向垂直的平面。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括用于防止所述第一正电极、所述第二正电极各自与所述第一负电极、所述第二负电极连接的绝缘层，并且所述绝缘层至少位于所述第一正电极的不与所述第二正电极连接的正面以及所述第一负电极的不与所述第二负电极连接的正面。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。

6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少还部分位于所述第一导电型半导体层的正面。

7.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少还部分位于所述发光层的侧面、所述第二导电型半导体层的侧面以及所述第二导电型半导体层的正面。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的发光元件，其特征在于，还包括保护层，所述保护层位于所述第一正电极与所述第一负电极之间，并从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的发光元件，其特征在于，还包括稳压二极管，所述稳压二极管被设置为与所述第二负电极和所述第一正电极连接。

11.一种发光元件制作方法，其特征在于，包括：

沿层叠方向依次层叠衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；

形成第一沟槽的步骤：去除掉部分所述第一导电型半导体层、所述发光层以及所述第二导电型半导体层，使得所述第一沟槽从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层的正面以及所述第一沟槽的底面和周面上形成电极层；

第一层电极形成步骤：去除掉部分所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的第一正电极和位于所述第一导电型半导体层上的第一负电极；以及

第二层电极形成步骤：在所述第一正电极的正面形成第二正电极，在所述第一负电极的正面形成第二负电极，

其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，所述第二正电极与所述第一正电极连接，所述第二负电极与第一负电极连接，所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。

12.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第二电极层形成步骤还包括：

使得所述第二正电极与所述第二负电极之间在水平方向上的间距大于所述第一正电极与所述第一负电极之间在水平方向上的间距，其中所述水平方向是指与所述层叠方向垂直的方向。

13.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第二电极层形成步骤还包括：

使得所述第二正电极的正面与所述第二负电极的正面在同一水平面上，其中所述水平面是指与所述层叠方向垂直的平面。