[发明专利]具有结构化的烧结-活性表面的半成品以及它们的制造方法

权利要求书

1.具有结构化的烧结-活性表面的阳极，所述的阳极具有钛、钼、钨、铌、钽或包含一种或多种这些金属的合金的高熔点金属表面，所述的阳极具有经过氧化并且随后再还原的表面。

2.如权利要求1所述的阳极，其特征在于，所述阳极和/或其涂层掺杂有不同金属和/或金属离子、和/或掺杂有以下元素中的一种或多种：磷、氮、硅或硼。

3.如权利要求1所述的阳极，其特征在于，所述结构化的烧结-活性表面的厚度为50纳米-50微米。

4.如权利要求1所述的阳极，其特征在于，所述阳极的比表面积在其氧化并随后还原之后比进行包括氧化和随后还原的处理之前的比表面积大了10-100000倍。

5.如权利要求1所述的阳极，其特征在于，以20伏阳极氧化时，厚度为50纳米-10微米的结构化表面的电容量为每平方厘米基底面积1-50微法。

6.如权利要求1所述的阳极，其特征在于，通过烧结用比表面积大于0.3平方米/克的高电容粉末对阳极进行涂布。

7.包含如权利要求1-6中任一项所述的阳极的比表面积大于0.3平方米/克的高电容组件。

8.如权利要求7所述的包含如权利要求1-6中任一项所述的阳极的高电容组件，其特征在于，所述阳极上烧结了另一种高电容粉末。

9.如权利要求8所述的高电容组件，其特征在于，所述另一种高电容粉末包含钛、钼、钨、铌、钽或包含一种或多种这些金属的合金的高熔点金属。

10.制造如权利要求1-6中任一项所述的具有结构化的烧结-活性表面的阳极的方法，其包括：

a）氧化包含至少一种选自钛、钼、钨、铌、钽或包含一种或多种这些金属的合金的高熔点金属的表面，

b）随后对经过氧化的表面还原。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述阳极的表面在处理之前至少部分掩蔽，以使只有未掩蔽区域依据权利要求10进行处理。

12.如权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述氧化是热氧化、阳极氧化或化学氧化。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述还原通过锂、镁、钙、钡、锶、铝、它们的氢化物、或氢的方式进行。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述还原通过锂、镁、钙、钡、锶、或铝蒸气的方式进行，所述还原进行时的温度为650-3000℃，取决于所使用的金属。

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，使用经过热处理的阳极。

16.制造高电容组件的方法，其特征在于，比表面积大于0.3平方米/克的高电容粉末通过烧结方法粘结在依据权利要求1-5中任一项所述的具有结构化的烧结-活性表面的阳极。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述高电容粉末包含至少一种高熔点金属，所述的烧结方法在低于1500℃的温度进行，所述高熔点金属选自钛、钼、钨、铌、钽或包含一种或多种这些金属的合金。

18.如权利要求1-5中任一项所述的具有结构化的烧结-活性表面的阳极在通过与比表面积大于0.3平方米/克的高电容粉末烧结用于制造高电容组件方面的应用。