[发明专利]低损耗稳相同轴电缆及其制备方法有效
申请号: | 201210273362.9 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN103578646A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 李军;卓越;桂宏兵 | 申请(专利权)人: | 深圳金信诺高新技术股份有限公司 |
主分类号: | H01B11/18 | 分类号: | H01B11/18;H01B13/00 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损耗 相同 电缆 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及通信电缆及其制备方法,更具体地说,涉及一种低损耗稳相同轴电缆及其制备方法。
背景技术
在现有的低损耗稳相同轴电缆(以下简称电缆)中,包括由内向外依次设置的内导体、中间绝缘层、外导体及外护套,其中,外导体包括由内向外依次设置的合金带层、金属复合膜层以及金属线编织网层。在制备该电缆的过程中,通常由内向外依次将合金带层、金属复合膜层及金属线编织网层包绕在中间绝缘层上。对于这种具有多层结构的外导体的电缆,当其在高温条件(例如125℃的温度)或低温下工作时,由于外导体中各层结构之间的膨胀收缩系数不同,使得层与层之间产生空隙,造成电缆的内部结构松散,从而电缆的机械稳定性大幅下降。例如,对该电缆进行可靠性试验以观测其在高温下工作的性能。首先将电缆进行48小时125℃的高温贮存,随后对其进行随机振动。最终检测到电缆的插损变化率超过200%,机械相位波动范围超过了3.00°。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中电缆的外导体中的层间结构由于膨胀系数不同而在温度变化下形成层间间隙,从而使得电缆的机械稳定性降低的缺陷,提供一种低损耗稳相同轴电缆及其制备方法及其制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:依据本发明的一方面,提供了一种低损耗稳相同轴电缆,包括由内向外依次设置的内导体、中间绝缘层、外导体及外护套,其中,所述外导体包括由内向外依次设置的合金带层、氟塑料膜层以及金属线编织网层。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆中,所述氟塑料膜层为氟化乙丙烯膜层或四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物膜层或聚四氟乙烯膜层或乙烯和四氟乙烯共聚物膜层。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆中,所述氟塑料膜层的厚度小于0.5mm。
依据本发明的另一方面,提供了一种低损耗稳相同轴电缆的制备方法,包括步骤:
S100、拉丝形成内导体;
S200、在所述内导体上推挤形成中间绝缘层;
S300、在所述中间绝缘层上制备形成外导体,其中,
S310、在所述中间绝缘层上绕包形成合金带层;
S320、在所述合金带层上将氟塑料颗粒熔融挤塑形成氟塑料膜层;
S330、在所述氟塑料膜层上编织形成金属线编织网层;以及
S400、在所述外导体上挤出护套。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的制备方法中,所述步骤S320进一步包括:
S321、干燥所述氟塑料颗粒;
S322、采用螺杆挤出机在所述合金带层上将所述氟塑料颗粒熔融挤塑形成所述氟塑料膜层;以及
S323、缓冷所述氟塑料膜层。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的制备方法中,在所述步骤S321中,在85±10℃的温度下烘烤所述氟塑料颗粒6~8小时以干燥所述氟塑料颗粒。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的制备方法中,在所述步骤S322中,在330~380℃的温度下将所述氟塑料颗粒熔融形成氟塑料树脂;并以每分钟3~5米的速度挤出所述氟塑料树脂以在所述合金带层上形成所述氟塑料膜层。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的制备方法中,在所述步骤S323中,在80~120℃的空气氛围中缓冷所述氟塑料膜层。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的制备方法中,所述氟塑料颗粒为氟化乙丙烯颗粒或四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物颗粒。
在依据本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的制备方法中,所述氟塑料膜层的厚度小于0.5mm。
本发明产生的有益效果是:由于外导体不再采用已有的合金带-金属复合膜-金属线(即导体-导体-导体)结构,而是将中间的金属复合膜替换成氟塑料膜层,即外导体具有导体-氟塑料-导体结构。该氟塑料膜层为一种软塑料层,耐温性能好,耐温温度一般可达200℃;另外,其在很宽的温度范围内能保持优良的机械性能。当工作温度改变后,间隔在合金带层与金属线编织网层之间的氟塑料膜层能够避免在外导体的层与层之间形成间隙,从而避免电缆的机械结构松散。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1是本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的结构示意图;
图2是本发明实施例的低损耗稳相同轴电缆的制备方法的流程图;
图3是本发明实施例的外导体的制备工艺的流程图。
具体实施方式
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