[发明专利]沉积源组件和有机层沉积设备在审

专利信息
申请号: 201210272044.0 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN102912316A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 成沄澈;金茂显 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455;H01L21/77;H01L51/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 沉积 组件 有机 设备
【权利要求书】:

1.一种沉积源组件,所述沉积源组件包括:

第一沉积源,用于排放沉积材料;

第二沉积源,堆叠在第一沉积源上,第二沉积源用于排放与第一沉积源排放的沉积材料不同的沉积材料;

第二沉积源喷嘴单元,设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面,并且包括多个第二沉积源喷嘴;

第一沉积源喷嘴单元,设置在第二沉积源的面对沉积目标的所述侧面,并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。

2.根据权利要求1所述的沉积源组件,其中,第一沉积源被构造为排放主体材料,第二沉积源被构造为排放掺杂剂材料。

3.根据权利要求2所述的沉积源组件,其中,包含在第一沉积源中的主体材料的量大于包含在第二沉积源中的掺杂剂材料的量。

4.根据权利要求1所述的沉积源组件,其中,第一沉积源被构造为排放掺杂剂材料,第二沉积源被构造为排放主体材料。

5.根据权利要求4所述的沉积源组件,其中,包含在第二沉积源中的主体材料的量大于包含在第一沉积源中的掺杂剂材料的量。

6.根据权利要求1所述的沉积源组件,其中,第二沉积源被构造为保持在比第一沉积源的温度高的温度。

7.根据权利要求1所述的沉积源组件,其中,所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对沉积目标的所述侧面按行布置并且交替布置。

8.根据权利要求1所述的沉积源组件,其中,所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对沉积目标的所述侧面按行布置,所述多个第一沉积源喷嘴中的每个第一沉积源喷嘴以同心的方式包括在所述多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。

9.一种用于在基底上形成有机层的有机层沉积设备,所述有机层沉积设备包括:

沉积源,用于排放沉积材料;

沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的侧面;

图案化缝隙片,设置为面对沉积源喷嘴单元、比基底小并且具有多个图案化缝隙,

其中,沉积源包括第一沉积源和堆叠在第一沉积源上的第二沉积源,

其中,沉积源喷嘴单元包括第一沉积源喷嘴单元和第二沉积源喷嘴单元,第二沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的侧面并且包括多个第二沉积源喷嘴,第一沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的所述侧面,并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴,

其中,有机层沉积设备设置为与基底分开设定距离,

其中,基底或有机层沉积设备被构造为相对于另一个运动。

10.根据权利要求9所述的有机层沉积设备,其中,第一沉积源被构造为排放主体材料,第二沉积源被构造为排放掺杂剂材料。

11.根据权利要求10所述的有机层沉积设备,其中,包含在第一沉积源中的主体材料的量大于包含在第二沉积源中的掺杂剂材料的量。

12.根据权利要求9所述的有机层沉积设备,其中,第一沉积源被构造为排放掺杂剂材料,第二沉积源被构造为排放主体材料。

13.根据权利要求12所述的有机层沉积设备,其中,包含在第二沉积源中的主体材料的量大于包含在第一沉积源中的掺杂剂材料的量。

14.根据权利要求9所述的有机层沉积设备,其中,第二沉积源被构造为保持在比第一沉积源的温度高的温度。

15.根据权利要求9所述的有机层沉积设备,其中,所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对基底的所述侧面按行布置并且交替布置。

16.根据权利要求9所述的有机层沉积设备,其中,所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对基底的所述侧面按行布置,所述多个第一沉积源喷嘴中的每个第一沉积源喷嘴以同心的方式包括在所述多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。

17.根据权利要求9所述的有机层沉积设备,其中,所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴沿着第一方向布置,所述多个图案化缝隙沿着与第一方向垂直的第二方向布置。

18.根据权利要求17所述的有机层沉积设备,其中,沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片经由连接构件整体地形成一体。

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