[发明专利]场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，依次具备下述步骤：

   形成IGBT结构的步骤，在衬底的正面上形成IGBT的正面结构；

   减薄步骤，将所述衬底减薄；

形成P层的步骤，在所述衬底的背面形成N^＋缓冲层，并在所述N^＋缓冲层的另一面形成P层；

形成集电极的步骤，在所述P层与所述N^＋缓冲层相接触的另一面形成集电极。

2.如权利要求1所述的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，

所述形成P层的步骤中依次包括下述子步骤：

对所述衬底进行高能背注N型粒子形成N^＋缓冲层；

通过注入硼形成P层；以及

通过激光退火激活背注粒子。

3.如权利要求2所述的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，在所述形成P层的步骤中，采用能量在500Kev以上的高能注入机台注入N型粒子。

4.如权利要求3所述的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，作为所述衬底采用悬浮区熔晶片。

5.如权利要求1～4所述的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，在所述减薄步骤中，将所述衬底的厚度减薄至60μm～140μm之间。

6.如权利要求5所述的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，

在形成IGBT结构的步骤中包括下述步骤：

形成环区，进行环注入和推阱；

形成有源区，形成栅电极，进行P-body推阱；

进行发射极注入和推阱；

介质层淀积；

在介质层中开孔淀积Al；

进行Al腐蚀，形成栅电极和发射电极；

形成钝化层。

7.如权利要求6所述的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，在所述形成集电极的步骤中，通过淀积背面金属形成集电极。

8.一种场中止型绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，其包括：

形成于所述衬底正面的IGBT的正面结构；

N^＋缓冲层；

P型层；

集电极。

9.如权利要求8所述的场中止型绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，所述IGBT的正面结构包括：

P-body区；

形成于所述P-body区上的源区；

形成于所述源区之上的发射极；

介质层；以及

形成于所述介质层上方的栅极和发射极。