[发明专利]用于双重图案化设计的掩模处理在审
| 申请号： | 201210270656.6 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367119A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨景峰;陈启平;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 双重 图案 设计 处理 | ||
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
在第一掩模层中形成第一图案；
对所述第一掩模层实施平滑工艺，所述平滑工艺圆化所述第一掩模层的边角；以及
采用所述第一掩模层作为掩模图案化下层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一掩模层包括：
在第二掩模中形成第二图案；
将所述第二图案转印到所述第一掩模层；
在第三掩模中形成第三图案；以及
将所述第三图案转印到所述第一掩模层，所述第一图案是所述第二图案与所述第三图案的组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平滑工艺包括各向同性干法等离子体蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述各向同性干法等离子体蚀刻采用一种或多种惰性气体。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述各向同性干法等离子体蚀刻包括O2等离子体蚀刻、N2等离子体蚀刻、CO等离子体蚀刻、CO2等离子体蚀刻、N2/H2等离子体蚀刻或氩气等离子体蚀刻。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平滑工艺包括各向同性湿蚀刻。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平滑工艺包括沉积共形膜以及对所述共形膜实施各向异性蚀刻工艺。
8.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
在掩模层中形成第一图案；
在所述掩模层中形成第二图案，所述第一图案和所述第二图案的组合图案包括部分所述第一图案和部分所述第二图案之间的一个或多个边角；
圆化所述一个或多个边角，从而产生圆化图案；以及
将所述圆化图案转印到下层。
9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有上覆的第一掩模层的衬底；
采用多次曝光在所述第一掩模层中形成图案，所述图案具有一个或多个尖边角；
处理所述图案以圆化所述一个或多个尖边角，从而形成圆化图案；以及
采用所述圆化图案作为掩模蚀刻所述衬底，所述圆化图案包括所述第一掩模层的剩余部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成图案包括采用第一光刻和蚀刻工艺将第一部分图案转印到所述第一掩模层，以及采用第二光刻和蚀刻工艺将第二部分图案转印到所述第一掩模层，所述一个或多个尖边角由所述第一部分图案和所述第二部分图案相交产生的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
