[发明专利]双栅极式闪存

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基板上提供鳍状结构；

邻近该鳍状结构的第一侧表面提供内存栅极堆叠；以及

邻近该鳍状结构的第二侧表面提供选择栅极。

2.根据权利要求1项所述的方法，包括：

在该内存栅极堆叠下方提供第一沟道区；以及

在该选择栅极下方提供第二沟道区。

3.根据权利要求2项所述的方法，其中，该第一沟道区进行编程及/或抹除，以及该第二沟道区进行读取。

4.根据权利要求1项所述的方法，包括在该鳍状结构的反侧表面提供内存栅极堆叠及选择栅极。

5.根据权利要求4项所述的方法，包括通过蚀刻基板提供鳍状结构。

6.根据权利要求5项所述的方法，包括：

蚀刻形成具有上表面的鳍状结构；以及

提供内存栅极堆叠及选择栅极堆叠，通过：

在该鳍状结构的第一侧表面上沉积浮动栅极材料；

在该鳍状结构的第二侧表面上沉积选择栅极材料；

平坦化该浮动栅极材料及选择栅极材料，使其实质上与该鳍状结构的上表面共面；以及

邻近该浮动栅极材料的侧表面沉积控制栅极材料。

7.根据权利要求6项所述的方法，其中，该浮动栅极材料与选择栅极材料相同。

8.根据权利要求6项所述的方法，包括：

在沉积该浮动栅极及选择栅极材料之前，氧化该鳍状结构的该第一及第二侧表面；以及

在沉积该控制栅极材料之前，在该浮动栅极材料的侧表面上形成介电层。

9.根据权利要求4项所述的方法，包括：

邻近该选择栅极提供第二鳍状结构；以及

邻近该第二鳍状结构的侧表面，相对于该选择栅极，提供第二内存栅极堆叠。

10.根据权利要求4项所述的方法，包括：

在基板上邻近但与该选择栅极隔开，提供第二内存栅极堆叠；

邻近该第二内存栅极堆叠提供第二鳍状结构；以及

邻近该第二鳍状结构，相对于该第二内存栅极堆叠，提供第二选择栅极。

11.一种装置，包括：

在基板上的鳍状结构；

邻近该鳍状结构的第一侧表面的内存栅极堆叠；以及

邻近该鳍状结构的第二侧表面的选择栅极。

12.根据权利要求11项所述的方法，包括：

在该内存栅极堆叠下方的第一沟道区；以及

在该选择栅极下方的第二沟道区。

13.根据权利要求12项所述的方法，其中，该第一沟道区进行编程及/或抹除，以及该第二沟道区进行读取。

14.根据权利要求11项所述的方法，包括在该鳍状结构的反侧表面上的内存栅极堆叠及选择栅极。

15.根据权利要求14项所述的方法，其中，该内存栅极堆叠包括：

邻近该鳍状结构的浮动栅极；以及

邻近该浮动栅极的控制栅极。

16.根据权利要求15项所述的方法，还包括介于该选择栅极及该鳍状结构之间以及介于该浮动栅极及该鳍状结构之间的氧化物。

17.根据权利要求16项所述的方法，还包括介于该浮动栅极及该控制栅极之间的介电层。

18.根据权利要求11项所述的方法，包括：

邻近该选择栅极的第二鳍状结构；以及

邻近该第二鳍状结构的侧表面，相对于该选择栅极的第二内存栅极堆叠。

19.根据权利要求11项所述的方法，还包括：

在基板上邻近但与该选择栅极隔开的第二内存栅极堆叠；

邻近该第二内存栅极堆叠的第二鳍状结构；以及

邻近该第二鳍状结构，相对于该第二内存栅极堆叠的第二选择栅极。

20.一种方法，包括：

蚀刻该基板以形成与该第一鳍状结构隔开的第一鳍状结构及第二鳍状结构；

在该基板上形成氧化物；

定时蚀刻该氧化物以曝露该第一及第二鳍状结构的上部；

氧化该第一及第二鳍状结构所曝露的上部；

邻近该第一及第二鳍状结构的第一侧表面，介于该第一及第二鳍状结构的氧化部分之间沉积选择栅极材料；

邻近该第一及第二鳍状结构的氧化部分之间沉积浮动栅极材料；

平坦化该选择栅极材料、浮动栅极材料、以及第一及第二鳍状结构，使其实质上共面；

邻近该浮动栅极材料的侧表面，邻近该第一鳍状结构，形成第一介电层，邻近该浮动栅极材料的侧表面，邻近该第二鳍状结构，形成第二介电层；以及

邻近该第一及第二介电层沉积控制栅极材料。