[发明专利]一种检测基质内缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测基质内缺陷的方法，所述基质具有相对的第一表面和第二表面，其特征在于，所述检测基质内缺陷的方法包括：

采用第一检测设备提供第一检测光束对基质的检测区域进行扫描；

由第一检测设备中的检测器件判断所述检测区域内是否存在缺陷，以及如果所述检测区域内存在缺陷，则确定缺陷的位置；

将第二检测设备移至对应于缺陷的位置，采用第二检测光束对基质从第一表面至第二表面进行扫描以获取缺陷位置处第一表面至第二表面垂直方向上的光强信息和光学长度信息；

根据缺陷位置处第一表面至第二表面垂直方向上的光强信息和光学长度信息判断缺陷的真伪及缺陷的类型。

2.根据权利要求1所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，由第一检测设备中的检测器件判断所述检测区域内是否存在缺陷的步骤包括：所述第一检测光束自所述基质的第一表面的入射点沿光学检测路径入射至第二表面上与入射点一一对应的出射点；

根据所述光学检测路径上各点的反射光的光强信息，判断所述光学检测路径上是否存在缺陷。

3.根据权利要求1所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，由第一检测设备中的检测器件判断所述检测区域内是否存在缺陷的步骤包括：所述第一检测光束自所述基质的第一表面的入射点沿光学检测路径入射至第二表面上与入射点一一对应的出射点；

根据所述光学检测路径上各点的透射光的光强信息，判断所述光学检测路径上是否存在缺陷。

4.根据权利要求2或3所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，采用检测器检测反射光或透射光的光强变化来判断所述检测区域内是否存在缺陷。

5.根据权利要求1所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，根据缺陷的坐标确定缺陷的位置。

6.根据权利要求4所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，所述检测器为CCD摄像机或CMOS传感器。

7.根据权利要求1至3任一项所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，所述第一检测光束为激光束或LED光束。

8.根据权利要求1所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，所述基质是玻璃、塑料、玻璃陶瓷或以上材料的复合材料。

9.根据权利要求1所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，由第二检测设备获取缺陷位置处第一表面至第二表面垂直方向上的光强信息和光学长度信息的步骤包括：

提供第二检测光束和参考光束；

所述第二检测光束自缺陷位置的基质第一表面的入射点沿光学检测路径入射至第二表面上与入射点一一对应的出射点，分别以第二检测光束经过的光学检测路径上各点处产生的背向散射光的集合作为该点对应的样本光束；

分别采集各样本光束和所述参考光束相互干涉形成的干涉信号，以获取光学检测路径上各点的背向散射光的光强信息，与该光学检测路径上各点之间的光学长度信息；

根据已知的所属光学检测路径的物理长度、所述光学检测路径上各点的背向散射光的光强信息、所述光学检测路径的光学长度以及所述基质相对于所述检测光束的折射率中的一个物理量或几个物理量，判断所述缺陷的类型。

10.根据权利要求9所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，根据所述光学检测路径上的各点的背向散射光的光强信息确定光学检测路径上的物理界面的数量。

11.根据权利要求9所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，所述光学长度为所述第二检测光束沿所述光学检测路径传播的距离与所述距离内分布的物质相对于所述第二检测光束的折射率的积分。

12.根据权利要求9所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，所述第二检测光束和参考光束是光源发射的单光束通过分光部件分光形成。

13.根据权利要求12所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，所述光源具有相干性，光源功率谱半高宽为10纳米~100纳米。

14.根据权利要求13所述检测基质内缺陷的方法，其特征在于，所述光源功率谱半高宽大于10纳米。