[发明专利]一种光学滤波器

权利要求书

1.一种光学滤波器，包括基片以及设置在所述基片两侧的光学膜，其特征在于，所述基片为蓝塑料基片。

2.根据权利要求1所述的光学滤波器，其特征在于，所述蓝塑料基片的厚度为0.05mm～0.2mm。

3.根据权利要求1所述的光学滤波器，其特征在于，所述基片与光学膜之间设有HfO₂过渡层。

4.根据权利要求3所述的光学滤波器，其特征在于，所述HfO₂过渡层的厚度为8nm～20nm。

5.根据权利要求3所述的光学滤波器，其特征在于，所述HfO₂过渡层在镀制前和镀制过程中都采用束压为600V～800V和束流为60mA～80mA的离子束进行辅助轰击。

6.根据权利要求1所述的光学滤波器，其特征在于，所述光学膜为设置在基片一侧的隔红外滤光膜以及设置在基片另一侧的隔红外-紫外滤光膜，所述隔红外滤光膜由TiO₂高折射率膜层和SiO₂低折射率膜层交替构成，所述隔红外-紫外滤光膜由SiO₂低折射率膜层和TiO₂高折射率膜层交替构成。

7.根据权利要求6所述的光学滤波器，其特征在于，所述TiO₂高折射率膜层和SiO₂低折射率膜层的制备均采用离子辅助，离子辅助的条件：束压为600V～800V，束流为60mA～80mA。

8.根据权利要求6或7所述的光学滤波器，其特征在于，所述TiO₂高折射率膜层的制备采用Ti₃O₅蒸发材料，且在1×10^-2Pa～3×10^-2Pa氧气氛中以0.2nm/s～0.8nm/s的速率蒸发；

所述SiO₂低折射率膜层的制备采用SiO₂蒸发材料，且在1×10^-2Pa～3×10^-2Pa氧气氛中以0.8nm/s～3.2nm/s的速率蒸发。

9.根据权利要求6所述的光学滤波器，其特征在于，所述隔红外滤光膜中的TiO₂高折射率膜层和SiO₂低折射率膜层总共为20～28层，所述隔红外滤光膜中的TiO₂高折射率膜层厚度为75nm～95nm，所述隔红外滤光膜中的SiO₂低折射率膜层厚度为140nm～155nm；

所述隔红外-紫外滤光膜中的SiO₂低折射率膜层和TiO₂高折射率膜层总共为17～21层，所述隔红外-紫外滤光膜中的SiO₂低折射率膜层厚度为90nm～191nm，所述隔红外-紫外滤光膜中的TiO₂高折射率膜层厚度为98nm～116nm。

10.根据权利要求9所述的光学滤波器，其特征在于，所述隔红外滤光膜中的TiO₂高折射率膜层和SiO₂低折射率膜层总共为24层，靠近基片的第一层为TiO₂高折射率膜层，第二层为SiO₂低折射率膜层，依次交替，厚度依次为94.4nm，154nm，81.6nm，145nm，78.7nm，142.3nm，77.7nm，141.3nm，77.3nm，140.9nm，77.1nm，140.6nm，77.1nm，140.7nm，77.4nm，140.8nm，77.7nm，141.4nm，78.7nm，143.1nm，81.2nm，148.2nm，83.4nm，153.6nm；

所述隔红外-紫外滤光膜中的SiO₂低折射率膜层和TiO₂高折射率膜层总共为19层，靠近基片的第一层为SiO₂低折射率膜层，第二层为TiO₂高折射率膜层，依次交替，厚度依次为173.3nm，105.4nm，188.1nm，114.5nm，190.6nm，115.5nm，190.8nm，115.5nm，189.8nm，113.9nm，186.0nm，106.7nm，167.6nm，98.3nm，177.9nm，109.5nm，180.8nm，108.4nm，90.1nm。