[发明专利]一种高储能纯固态超级电容器的制备方法无效
| 申请号： | 201210266997.6 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810407A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 刘必前;任晓灵;杨海军;何敏;汪前东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01G9/07 | 分类号： | H01G9/07;H01G9/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高储能纯 固态 超级 电容器 制备 方法 | ||
1.一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，其特征是，该制备方法包括以下步骤：
(1)将纳米陶瓷粉体用Al2O3均匀包覆，制得纳米复合陶瓷粉体；
其中，纳米陶瓷粉体为具有高介电常数的纳米陶瓷晶体粉末，如钛酸钡晶体粉末、钇离子掺杂的钨酸铅晶体粉体等；
(2)将高分子材料经冷冻后研磨成为纳米级的粉体颗粒，并与步骤(1)制得的纳米复合陶瓷粉体超声共混，高温压制成电介质层；
其中，高分子材料为耐高压抗击穿的高分子材料，如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等；
(3)采用磁控溅射法在步骤(2)制得的电介质层两侧镀层金属电极，从而制得高储能纯固态超级电容器。
2.根据权利要求1所述的一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，其特征是，步骤(2)中所述的纳米复合陶瓷粉体与高分子材料的质量比控制在50/50～92/8之间。
3.根据权利要求1所述的一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，其特征是，步骤(2)中所述的高温压制条件为180℃，100bar。
4.根据权利要求1所述的一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，其特征是，步骤(2)中所述的电介质层厚度为0.05～20μm。
5.根据权利要求1所述的一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，其特征是，步骤(3)中所述的磁控溅射法条件为：真空为3.0×10-4Pa，工作气体为氩气，溅射气压为2.0Pa，靶基距为135mm，溅射时间为1～10min。
6.根据权利要求1所述的一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，其特征是，步骤(3)中所述的电极材料为铝或银金属，金属电极层厚度为0.05～5μm。
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