[发明专利]利用太赫兹波的物质处理方法无效
申请号: | 201210266125.X | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN103578595A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 新纳清宪 | 申请(专利权)人: | 新能源产业株式会社 |
主分类号: | G21H5/00 | 分类号: | G21H5/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 谢丽娜;关兆辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 赫兹 物质 处理 方法 | ||
1.一种利用太赫兹波的物质处理方法,其通过向以铜、金属、半金属、半导体或者陶瓷中的至少一种为主要成分的放射体施加变动电场或者变动电位,并将该变动电位或者变动电场和在放射体产生的波长包含于3~1000μm的非相干的太赫兹波直接照射到处理对象的物质上或者间接照射到物质的影像上,而使该物质活性化或者变性。
2.根据权利要求1所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述物质的影像是该物质的照片、数码相机的影像、移动电话的影像、计算机显示器的影像、摄像机的影像、放映机的屏幕影像或者视频投影仪的影像中的任意一个。
3.根据权利要求1或2所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,照射上述太赫兹波的方法为在该放射体的表面上放映视频投影仪的影像来照射的方法。
4.根据权利要求1、2、3中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述半金属为锡、锑、硅、锗或者石墨中的至少任意一种。
5.根据权利要求1、2、3中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述半导体为硅半导体或者锗半导体。
6.根据权利要求1、2、3中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述陶瓷以硅酸、硅酸盐或者金属酸化物中的至少任意一种为主要成分。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,生成上述变动电场或变动电位的电源是交流或者全波整流或半波整流的直流中的任意一种。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述变动电场或变动电位的变动频率为20KHz以下的低频。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述物质或物质的影像为山、谷、池塘、湖泊、河流、旱田、水田、植物、动物或者人类等自然生物中的任意物质,或者上述自然生物中的任意物质的影像。
10.根据权利要求1至8中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述物质或物质的影像为陶瓷器、纤维、纸、橡胶、树脂、水泥、木材、玻璃材料中的任意物质或上述物质的影像,或者为以这些物质中一种以上的物质作为材料而构筑的建筑物、道路或桥梁中的任意构筑物或上述构筑物的影像。
11.根据权利要求1至8中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述物质或物质的影像为计算机、移动电话、蓄电池、变压器、电子零件、电气材料、家电产品、供暖设备、空调装置、通信设备、医疗器械等利用电磁能的材料或产品,或者为上述材料或产品的任意的影像。
12.根据权利要求1至8中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述物质或物质的影像为食品或上述食品的影像。
13.根据权利要求1至8中的任意一项所述的利用太赫兹波的物质处理方法,其特征在于,上述物质或物质的影像为贵金属、身体装饰品、化妆品、医药品或准药品中的任意物质或上述任意物质的影像。
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