[发明专利]硅晶圆抛光制程方法在审
| 申请号： | 201210266115.6 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102773790A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李彬;贺贤汉;金文明;余图斌 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤：
S1，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净；
其中所述粗抛、所述中抛及所述精抛分别包括，S1.1，前减压水抛；S1.2，加压研磨液抛光；S1.3，后减压水抛；
其特征在于，在所述粗抛及所述精抛中的所述后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆抛光制程方法，其特征在于，所述减压表面活性剂抛光中的表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。
3.根据权利要求2所述的硅晶圆抛光制程方法，其特征在于，所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的浓度为0.1%～0.5%。
4.根据权利要求3所述的硅晶圆抛光制程方法，其特征在于，所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶剂为纯水，所述纯水的电阻率大于17MΩ·cm，0.20μm粒径以上颗粒每毫升少于20个，总有机碳小于3ppb。
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