[发明专利]基于IGBT的n形电极焊接工装结构及焊接方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种基于IGBT的“n”形电极焊接工装结构及焊接方法。 

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种高端的电力电子器件，近年来发展迅速，在IGBT模块的封装制造过程中，电极焊接是一道非常关键的工序，而在焊接的过程中需要焊接工装，来保证准确、高精度的对主电极进行定位，高质量地完成主电极焊接，焊接工装对于IGBT模块产品的质量起着非常重要的作用，而现有技术中没有针对“n”形电极而设计的焊接工装。 

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种基于IGBT的“n”形电极焊接工装结构及焊接方法。 

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种基于IGBT的“n”形电极焊接工装结构及焊接方法，其能够简单、方便、准确、高精度的对“n”形电极进行定位，以高质量、高效率地完成电极的焊接。 

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下： 

一种基于IGBT的“n”形电极焊接工装结构，所述焊接工装安装于一底板上，所述焊接工装包括垂直围设于底板上的四个高度相同的定位板，所述四个定位板与底板围设成一顶部开口的长方体定位空间，所述底板上还设有若干用于固定定位板位置的定位件。 

作为本发明的进一步改进，所述定位空间的长和宽与所需焊接的“n”形电极的长和宽误差范围在0.2～0.5mm之内。 

作为本发明的进一步改进，所述定位件设置为4个，分别位于底板上相邻的定位板接触处。 

作为本发明的进一步改进，所述定位空间内的底板上还设有焊接槽，用于安装焊接部件。 

相应地，一种基于IGBT的“n”形电极焊接方法，所述方法包括： 

S1、安装焊接工装，将四个定位板安装在底板上，并通过定位件进行固定； 

S2、将“n”形电极从上向下放置在由四个定位板与底板围设的长方体定位空间内，并使“n”形电极的底部与底板上的焊接部件相接触； 

S3、将安装有“n”形电极的焊接工装放入焊接炉完成焊接； 

S4、焊接完成，将四个定位板从底板上取下。 

作为本发明的进一步改进，所述步骤S1前还包括： 

测量“n”形电极的长和宽，选择对应长度的定位板。 

作为本发明的进一步改进，所述步骤S2中定位空间的长和宽与所需焊接的“n”形电极的长和宽误差范围在0.2～0.5mm之内。 

本发明的有益效果是：“n”形电极焊接工装结构定位准确、精度高，焊接工装使用简单、方便，整个焊接过程效率很高，可以高效率地完成“n”形电极的焊接。 

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本发明中“n”形电极的侧视示意图； 

图2为本发明中“n”形电极的主视示意图； 

图3为本发明中“n”形电极的俯视示意图； 

图4为本发明一实施方式中“n”形电极焊接工装结构的俯视示意图； 

图5为本发明一实施方式中“n”形电极焊接方法的流程示意图。 

其中：10、“n”形电极；  11、第一定位面；  12、第二定位面；13、第三定位面；  14、第四定位面；  20、焊接工装；  21、第一定位板；  22、第二定位板；  23、第三定位板；  24、第四定位板；30、底板。 

具体实施方式