[发明专利]用于FinFET的结构

权利要求书

1.一种装置，包括：

隔离区域，形成在衬底中；

鳍线，形成在所述衬底中，其中：

所述鳍线被第一栅电极结构包围，以形成第一晶体管；并且

所述鳍线的末端为锥形形状，所述鳍线包括：

沟道，连接在所述第一晶体管的第一漏极/源极区域与第二漏极/源极区域之间；以及

第二栅电极，包围所述鳍线，以形成伪晶体管。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述鳍线的末端嵌入在所述第二栅电极中。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述鳍线的末端延伸到所述第二栅电极外以形成浮置节点，并且所述第二栅电极被配置成使得：

在所述鳍线和所述第二栅电极形成n型晶体管时，所述第二栅电极连接至地；以及

在所述鳍线和所述第二栅电极形成p型晶体管时，所述第二栅电极连接到高电压。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一漏极/源极区域、所述第二漏极/源极区域和所述沟道形成p型FinFET；以及

所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域的外延生长材料选自由SiGe、SiGeC、Ge、Si、III-V化合物半导体材料以及它们的任何组合所组成的组中。

5.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一漏极/源极区域、所述第二漏极/源极区域和所述沟道形成n型FinFET；以及

其中，所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域的外延生长材料选自由SiP、SiC、SiPC、Si、III-V化合物半导体材料以及它们的任何组合所组成的组中。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述隔离区域是浅沟槽隔离结构。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

在所述鳍线的第一横截面中，所述鳍线具有大于86度的底部内角。

8.根据权利要求1所述的装置，其中：

在所述鳍线的第二横截面中，所述鳍线的末端具有小于83度的底部内角。

9.一种系统，包括：

第一连续鳍线，被第一存储器单元的第一传输门晶体管和第一下拉晶体管以及第二存储器单元的第三传输门晶体管和第三下拉晶体管共享；

第二连续鳍线，被所述第一存储器单元的第二传输门晶体管和第二下拉晶体管以及所述第二存储器单元的第四传输门晶体管和第四下拉晶体管共享；

多条不连续鳍线，用于所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的上拉晶体管，以及其中：

所述不连续鳍线被第一栅电极结构包围以形成上拉晶体管；并且

所述不连续鳍线的末端为锥形形状；以及

第二栅电极，包围所述不连续鳍线，以形成伪晶体管。

10.一种存储器单元，包括：

第一反相器，包括：

第一p型晶体管(PU)，具有两级鳍结构；以及

第一n型晶体管(PD)，具有两级鳍结构，所述第一PU与所述第一PD串联连接；

第二反相器，交叉连接至所述第一反相器，包括：

第二PU，具有两级鳍结构；以及

第二PD，具有两级鳍结构，所述第二PU与所述第二PD串联连接；

第一传输门晶体管，具有两级鳍结构，其中，所述第一传输门晶体管连接在所述第一反相器与第一位线之间；

第二传输门晶体管，具有两级鳍结构，其中，所述第二传输门晶体管连接在所述第二反相器与第二位线之间；

第一伪器件，连接至所述第一反相器；以及

第二伪器件，连接至所述第二反相器。