[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

存储器单元，包括：

(a1)第一导电类型的第一MIS晶体管，耦合在第一电压和第一节点之间；

(a2)第二导电类型的第一MIS晶体管，耦合在所述第一节点和不同于所述第一电压的第二电压之间；

(a3)第二导电类型的第二MIS晶体管，与所述第二导电类型的第一MIS晶体管并联地耦合在所述第一节点和所述第二电压之间；

(a4)第一导电类型的第二MIS晶体管，耦合在所述第一电压和第二节点之间；

(a5)第二导电类型的第三MIS晶体管，耦合在所述第二节点和所述第二电压之间；

(a6)第二导电类型的第四MIS晶体管，与所述第二导电类型的第三MIS晶体管并联地耦合在所述第二节点和所述第二电压之间；

(a7)第二导电类型的第五MIS晶体管，耦合在所述第一节点和第一位线之间；以及

(a8)第二导电类型的第六MIS晶体管，耦合在所述第二节点和第二位线之间，

所述器件进一步包括：

(b1)单块的第一有源区域，所述第二导电类型的第一MIS晶体管和所述第二导电类型的第五MIS晶体管布置在所述第一有源区域中；

(b2)与所述第一有源区域分离的第二有源区域，所述第二导电类型的第二MIS晶体管布置在所述第二有源区域中；

(b3)单块的第三有源区域，所述第二导电类型的第三MIS晶体管和所述第二导电类型的第六MIS晶体管布置在所述第三有源区域中；以及

(b4)与所述第三有源区域分离的第四有源区域，所述第二导电类型的第四MIS晶体管布置在所述第三有源区域中，

其中所述第一有源区域至所述第四有源区域沿第一方向并排设置并且相互分离；

其中第一栅极布线在所述第一有源区域之上沿所述第一方向延伸；

其中第二栅极布线在所述第一有源区域和所述第二有源区域之上沿所述第一方向延伸；

其中第三栅极布线在所述第三有源区域之上沿所述第一方向延伸；以及

其中第四栅极布线在所述第三有源区域和所述第四有源区域之上沿所述第一方向延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

沿所述第一方向并排设置的第一区域、第二区域和第三区域，

其中所述第一有源区域和所述第二有源区域布置在所述第一区域中；以及

其中所述第三有源区域和所述第四有源区域布置在所述第三区域中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中保持所述第一导电类型的第一MIS晶体管的第五有源区域以及保持所述第一导电类型的第二MIS晶体管的第六有源区域布置在所述第二区域中；

其中所述第五有源区域和所述第六有源区域沿所述第一方向并排设置并且与所述第一有源区域至所述第四有源区域一起相互隔开；

其中所述第二栅极布线也在所述第五有源区域之上延伸；以及

其中所述第四栅极布线也在所述第六有源区域之上延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第二导电类型的第一MIS晶体管的栅极宽度等于所述第二导电类型的第五MIS晶体管的栅极宽度；以及

其中所述第二导电类型的第三MIS晶体管的栅极宽度等于所述第二导电类型的第六MIS晶体管的栅极宽度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第二导电类型的第一MIS晶体管的栅极宽度等于所述第二导电类型的第二MIS晶体管的栅极宽度；以及

其中所述第二导电类型的第三MIS晶体管的栅极宽度等于所述第二导电类型的第四MIS晶体管的栅极宽度。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中作为所述第二导电类型的第五MIS晶体管的栅极宽度(a)与所述第二导电类型的第一MIS晶体管的栅极宽度和所述第一导电类型的第二MIS晶体管的栅极宽度的总和(b)之间的比例a∶b在假设a是1时处于1∶1.1至1∶3的范围内。