[发明专利]金属氧化层的制造方法无效
| 申请号： | 201210265319.8 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103572347A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 萧祖荫;吴冠霖;张子骏 | 申请（专利权）人： | 萧祖荫;吴冠霖;张子骏 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾花莲县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化层的制造方法，其特征在于，其包含下列步骤：
提供一金属件；
置放该金属件至一电解液中以利用一微弧氧化制程处理该金属件；及
在该金属件的表面形成一金属氧化层；
其中，该电解液中包含有六偏磷酸钠、硅酸钠、偏铝酸钠、氢氧化钠、钨酸钠及碳酸钠。
2.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中提供一金属件之后及置放该金属件至一电解液中以利用一微弧氧化制程处理该金属件之前，更包含下列步骤：
置放金属件至清洗槽内以清除金属件表面的油污；及
置放金属件至纯水槽内清洗。
3.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中该电解液的PH值介于8至12之间。
4.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其中该微弧氧化制程所使用的一最大恒定正电压介于350V至750V之间。
5.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中该微弧氧化制程所使用的一最大恒定负电压介于20V至200V之间。
6.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中该微弧氧化制程的处理温度介于摄氏20度至50度之间。
7.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中该微弧氧化制程的处理时间介于30至120分钟之间。
8.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中该六偏磷酸钠的浓度介于10至20g/L之间，该硅酸钠的浓度介于3至10g/L之间，该偏铝酸钠的浓度介于3至8g/L之间，该氢氧化钠的浓度介于1至3g/L之间，该钨酸钠的浓度介于2至4g/L之间，该碳酸钠的浓度介于4至8g/L之间。
9.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中该金属氧化层的硬度介于300至3000HV之间。
10.如权利要求1所述的金属氧化层的制造方法，其特征在于，其中该金属件为一铝合金金属件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于萧祖荫;吴冠霖;张子骏，未经萧祖荫;吴冠霖;张子骏许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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