[发明专利]铝金属栅极的形成方法

权利要求书

1.一种铝金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽，所述沟槽露出部分半导体衬底；

形成浸润层，所述浸润层覆盖所述层间介质层，同时填充所述沟槽，其中，位于所述沟槽开口处的浸润层排斥铝的化学气相沉积工艺；

利用化学气相沉积工艺形成铝种子层，所述铝种子层填充所述沟槽；

沉积铝体层，所述铝体层填满所述沟槽。

2.如权利要求1所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，位于所述沟槽开口处的浸润层的材料为氮化钛。

3.如权利要求2所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，形成浸润层的工艺包括如下步骤：

形成初始浸润层，所述初始浸润层的材料为钛；

对所述初始浸润层执行氮离子注入工艺，形成浸润层，其中，位于沟槽开口处的浸润层的材料为氮化钛，位于沟槽内的浸润层的材料为钛。

4.如权利要求3所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，利用氮气对所述初始浸润层执行氮离子注入工艺。

5.如权利要求4所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，对所述初始浸润层执行氮离子注入工艺的工艺条件为：

注入角度：5°~15°；

注入能量：1keV~30keV；

注入剂量：10¹⁴/cm²~10¹⁵/cm²。

6.如权利要求2~5中的任一项所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，所述浸润层的厚度为4nm~15nm。

7.如权利要求2~5中的任一项所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，利用AlH₂（BH₄）和N（CH₃）₃执行化学气相沉积工艺形成铝种子层。

8.如权利要求7所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，形成铝种子层的工艺温度为：25℃~150℃。

9.如权利要求2~5中的任一项所述的铝金属栅极的形成方法，其特征在于，利用物理气相沉积工艺沉积铝体层。