[发明专利]倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机半导体领域，尤其涉及一种倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，一般是制备一层电子传输层来提高电子的传输速率，再制备一层电子注入层来提高电子的注入效率，而电子的传输速率通常比空穴的传输速率要低两三个数量级，因此，通常都是将电子传输层进行n掺杂，也即是将电子传输层进行金属掺杂，如Cs盐掺杂到Bphen中，Li盐掺杂到TPBi中，来提高电子传输速率，这种方法采用较多，且可有效提高电子传输速率，但是，有机物与无机物之间蒸发温度不一致，给蒸发温度带来困难，且速率提高的幅度不高，另外，厚度不能做得太薄（低于40nm），当发光材料与金属电极比较接近的时候，发光材料会与金属电极产生耦合，对激子造成了损失（表面等离子激元波），厚度太厚（高于100nm），缺陷增多，则电子陷阱的存在，会使电子或空穴进入到陷阱内，导致激子复合几率降低；所有这些进而影响到电子传输速率的提高，也就导致了发光效率低。

发明内容

本发明所要解决的问题之一在于提供一种可以提高发光效率的倒置底发射有机电致发光器件。

一种倒置底发射有机电致发光器件，包括依次层叠的阴极基底、辅助电子传输层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；所述辅助电子传输层的材质为醋酸化合物；所述辅助电子传输层的厚度为10~20nm。

所述器件中，辅助电子传输层的醋酸化合物为醋酸锌、醋酸钙或醋酸镁。

所述倒置底发射有机电致发光器件中，其它各功能层的材质及厚度如下：

所述阴极基底的材质为铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；该电子传输层的厚度为40~80nm；

所述发光层的材料为客体材料按照质量百分比1~20%的比例掺杂到主体材料中；所述客体材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C²）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；所述主体材料为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、N,N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；所述发光层的厚度为为2~30nm；

所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；所述空穴传输层的厚度为20~60nm；

所述空穴注入层的材质选用三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；所述空穴注入层的厚度为20-80nm；

所述阳极层的材质为金属银、铝、铂或金；所述阳极层的厚度为80-250nm。

本发明所要解决的问题之二在于提供上述倒置底发射有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

S1、将阴极基底进行光刻处理，然后清洗，去除阴极基底表面的有机污染物；

S2、将质量浓度为1~30%的醋酸化合物溶液涂覆在阴极基底表面，烘干，制得厚度为10~20nm的辅助电子传输层；其中，所述辅助电子传输层的材质为醋酸化合物；

S3、在辅助电子传输层表面依次层叠蒸镀电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；

上述工艺步骤完成后，制得所述倒置底发射有机电致发光器件。