[发明专利]一种局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法

权利要求书

1.一种局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：

（1）微流控芯片的制备：该芯片由三块玻璃叠加而成，在最上面一块玻璃上刻蚀直径为1.0±0.2 mm的小孔，分别用作芯片通道的入口和出口；在第二块玻璃上刻蚀一条大小为(1.0±0.2 mm)×(5.0±0.2 mm)的长方形通孔，作为芯片的通道；三块玻璃通过高温熔合成一体；

（2）芯片的修饰：首先在芯片通道表面制备一层致密的硅羟基单分子层，然后修饰上一层3-氨丙基三乙氧基硅烷单分子层；再修饰上一层聚苯乙烯磺酸钠；最后将湿法合成得到的金纳米棒溶液通入芯片流通池中，金纳米棒将自组装到芯片通道表面。

2.根据权利要求1所述的局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法, 其特征在于：步骤（1）中的玻璃刻蚀液为氢氟酸与氟化铵的混合水溶液，其中氢氟酸的浓度为4.5 M，氟化铵浓度为2.5 M。

3.根据权利要求1所述的局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的玻璃高温熔合温度为730-760℃，加热时间为5分钟。

4.根据权利要求1所述的局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法, 其特征在于：步骤（1）中构成芯片的三块玻璃规格如下：上面两块玻璃为边长为18 mm的正方形硼酸盐玻璃片，厚度为0.15±0.02 mm；最底下一块玻璃为边长为18 mm的正方形硼酸盐玻璃片，厚度为1.1±0.1 mm。

5.根据权利要求1所述的局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法, 其特征在于：步骤（2）中致密的硅羟基单分子层的制备方法如下：在芯片通道中通入体积比为4:1的质量百分数为98%浓硫酸与质量百分数为30%双氧水，超声振荡10分钟，然后用去离子水彻底冲洗干净。

6.根据权利要求1所述的局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法, 其特征在于：步骤（2）中3-氨丙基三乙氧基硅烷单分子层的制备方法如下：在芯片通道中通入质量分数为10%的3-氨丙基三乙氧基硅烷甲醇溶液，静置反应2小时，然后用甲醇和去离子水反复冲洗3遍后放入烘箱于120℃下烘1小时。

7.根据权利要求1所述的局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法, 其特征在于：步骤（2）中聚苯乙烯磺酸钠的修饰方法如下：在芯片通道中通入20 mg/mL的聚苯乙烯磺酸钠水溶液，静置反应1小时，然后用去离子水反复冲洗三遍。

8.根据权利要求1所述的局域表面等离子共振微流控芯片的制备方法, 其特征在于：步骤（2）中的金纳米棒长径比在2到10之间。