[发明专利]大功率整晶圆IGBT封装结构

权利要求书

1.一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述陶瓷底座（1）包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰（1-1）、瓷环（1-2）和阳极密封圈（1-3），在所述阳极密封圈（1-3）内同心焊接有阳极电极（1-4），在所述瓷环（1-2）的壳壁上穿接有门极引线管（1-5），在所述门极引线管（1-5）的内、外端分别焊接有门极内插片（1-7）和门极外插片（1-6），所述上盖（3）包含有阴极电极（3-1）和阴极法兰（3-2），所述阴极法兰（3-2）同心焊接在阴极电极（3-1）的外缘上；所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极板定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3），在所述过渡电极（2）的上方自上而下依次压接有上钼片（4）、整晶圆芯片（5）和下钼片（6），在所述上钼片（4）、整晶圆芯片（5）和下钼片（6）上均设置有与过渡电极（2）上相应的芯片定位孔（2-3），在所述下钼片（6）上还设置有门极针预留孔（6-1），在所述各部件的芯片定位孔（2-3）内插置有定位插销，在过渡电极（2）的门极针定位孔（2-1）内设置有弹性门极针单元（2-4），所述弹性门极针单元（2-4）包括塑料模架（2-4-1）和多个弹性门极针（2-4-2），在所述塑料模架（2-4-1）上开有与弹性门极针（2-4-2）数量相同的弹性门极针定位孔（2-4-3），所述弹性门极针（2-4-2）插置于弹性门极针定位孔（2-4-3）内，所述弹性门极针（2-4-2）的上端穿过门极针预留孔（6-1）与整晶圆芯片（5）上的门极弹性压接，在所述过渡电极（2）的门极板定位槽（2-2）内设置有门极引出板（2-5），所述门极引出板（2-5）的下端面与阳极电极（1-4）的上表面接触，上端面与弹性门极针（2-4-2）的下端弹性压接，并与门极内插片（1-7）相焊接。

2.根据权利要求1所述的一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于所述门极引出板（2-5）是三层结构，上端面为镀金层、中间为覆铜层、下面为绝缘层，绝缘层与阳极电极（1-4）的上表面接触，镀金层与弹性门极针（2-4-2）的下端弹性压接。

3.根据权利要求1或2所述的一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于在所述上钼片（4）、整晶圆芯片（5）、下钼片（6）、过渡电极（2）、阴极电极（3-1）和阳极电极（1-4）的外缘设置有聚氟乙烯环（7）。