[发明专利]一种传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种传感器，其特征在于，包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括光电二极管传感器件和薄膜晶体管器件，其中，

所述光电二极管传感器件包括：位于衬底基板之上的偏压线；位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极；位于透明电极之上的光电二极管；以及，位于光电二极管之上的接收电极；

所述薄膜晶体管器件包括：位于光电二极管之上并与接收电极连接的源极、位于光电二极管之上并与相邻的数据线连接的漏极，所述源极和漏极相对而置形成沟道；位于源极和漏极之上的欧姆层；位于欧姆层和沟道之上的有源层；位于有源层之上并覆盖基板的第一钝化层；以及，位于第一钝化层之上，沟道上方的栅极，所述栅极与相邻的栅线连接。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括：位于栅极之上并覆盖基板的第二钝化层，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。

3.如权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述漏极包括第一部分和第二部分，所述光电二极管包括未破坏区域和破坏区域，所述未破坏区域的厚度大于破坏区域的厚度，所述未破坏区域与第一部分、源极和接收电极位置对应，所述破坏区域与第二部分位置对应。

4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述偏压线平行于数据线设置。

5.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管。

6.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述源极、漏极、数据线和接收电极的材质相同。

7.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成偏压线的图形；

通过一次构图工艺形成位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极的图形，以及位于透明电极之上的光电二极管的图形；

通过一次构图工艺在光电二极管之上形成接收电极的图形、与接收电极连接的源极的图形、与源极相对而置形成沟道的漏极的图形；以及，与漏极连接的数据线的图形和位于源极和漏极之上的欧姆层的图形；

通过一次构图工艺形成位于欧姆层和沟道之上的有源层的图形；

形成覆盖基板的第一钝化层，并通过一次构图工艺形成栅线的图形和与栅线连接的栅极的图形。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成栅线的图形和栅极的图形之后，进一步包括：

通过一次构图工艺形成覆盖基板的第二钝化层的图形，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。

9.如权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成透明电极的图形和光电二极管的图形，具体包括：

依次沉积透明电极金属和光电二极管层，并在光电二极管层之上涂覆光刻胶；

采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光，其中，不透光区对应形成接收电极、源极和漏极的第一部分的区域，半透光区对应形成漏极的第二部分的区域；

对基板的完全曝光区进行显影、刻蚀；

对基板的半曝光区进行灰化、刻蚀和光刻胶剥离，形成透明电极的图形和光电二极管的图形。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述源极、漏极、数据线和接收电极的材质相同。