[发明专利]一种传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种传感器，其特征在于，包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线，以及由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，

所述薄膜晶体管器件包括：相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与相邻的数据线连接，以及位于源极和漏极之上的欧姆层、位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层、位于有源层之上的栅极绝缘层和位于栅极绝缘层之上、沟道上方并与相邻的栅线连接的栅极；

所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线，所述偏压线平行于栅线设置。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括：位于偏压线、栅线和栅极之上并覆盖基板的钝化层，所述钝化层具有信号引导区过孔。

3.如权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述栅极绝缘层覆盖基板，并在透明电极的上方具有连接透明电极和偏压线的通孔。

4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括：位于接收电极之上的N型半导体，位于N型半导体之上的I型半导体，以及位于I型半导体之上的P型半导体。

5.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形，与漏极连接的数据线的图形，以及与源极连接的接收电极的图形，其中，所述源极和漏极相对而置形成沟道；

通过一次构图工艺形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；

通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形；

通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形；

通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形，所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔；

通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上、沟道上方的栅极的图形，与栅极连接的栅线的图形，以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：

通过一次构图工艺形成覆盖基板的钝化层的图形，所述钝化层具有信号引导区过孔。

7.如权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成光电二极管的图形，以及透明电极的图形具体包括：

依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，通过一次构图工艺形成光电二极管的图形和透明电极的图形。

8.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成偏压电极的图形、与偏压电极连接的偏压电极引脚的图形、位于偏压电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；

通过一次构图工艺形成位于透明电极和偏压电极引脚之上、并覆盖基板的第一钝化层的图形；

通过一次构图工艺形成源极、漏极和数据线的图形，以及位于源极和漏极之上的欧姆层的图形，其中，所述源极和漏极相对而置形成沟道，所述漏极与数据线连接，所述源极与透明电极连接；

通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形；

通过一次构图工艺形成位于有源层之上的栅极绝缘层的图形、位于栅极绝缘层之上、沟道上方的栅极的图形，以及与栅极连接的栅线的图形。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：

通过一次构图工艺形成覆盖基板的第二钝化层的图形，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。

10.如权利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成偏压电极的图形、偏压电极引脚的图形、光电二极管的图形，以及透明电极的图形，具体包括：

在衬底基板上依次沉积偏压电极金属、N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，并在透明电极层之上涂覆光刻胶；

采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光，其中，不透光区对应形成偏压电极、PIN光电二极管和透明电极的区域；半透光区对应形成偏压电极引脚的区域；

对基板进行显影、刻蚀，形成偏压电极的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形；

对基板进行灰化、刻蚀和光刻胶剥离，形成偏压电极引脚的图形。