[发明专利]突波保护装置有效

专利信息
申请号: 201210262641.5 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN103579993A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 林于杰;张家铭;高明才 申请(专利权)人: 硕天科技股份有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;常大军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 保护装置
【权利要求书】:

1.一种突波保护装置,其特征在于,包括有:

一脉冲控制型开关,是串接在一电源回路上,具有一个以上的控制端;

一脉冲产生电路,具有一输入端和一输出端,输入端和电源回路连接且位于脉冲控制型开关的前端;其输出端是和所述脉冲控制型开关的控制端连接;

一异常电压检测电路,具有一个以上的检测输入端和一个输出端,所述检测输入端是和电源回路连接且位于脉冲控制型开关的后端,所述异常电压检测电路的输出端是和脉冲控制型开关的控制端连接。

2.根据权利要求1所述的突波保护装置,其特征在于,所述脉冲控制型开关是一可关断晶闸管,其具有一栅极作为控制端。

3.根据权利要求1所述的突波保护装置,其特征在于,所述脉冲控制型开关是一种脉冲控制型继电器,所述脉冲控制型继电器具有一激磁线圈和两个以上的开关接点,所述激磁线圈具有一顺向控制端和一逆向控制端,所述开关接点是串接在电源回路上;

该脉冲产生电路的输入端和电源回路连接且位于开关接点的前端;其输出端是和所述激磁线圈的顺向控制端连接;

该异常电压检测电路的检测输入端是和电源回路连接且位于开关接点的后端,所述异常电压检测电路的输出端是和激磁线圈的逆向控制端连接。

4.根据权利要求3所述的突波保护装置,其特征在于,所述脉波产生电路包含一第一晶体管、第二晶体管和一控制键,所述第一晶体管是一PNP晶体管,其发射极和电源回路连接,其集电极和激磁线圈的顺向控制端连接,其基极是和第二晶体管的集电极连接,第二晶体管的基极是通过控制键和电源回路连接。

5.根据权利要求4所述的突波保护装置,其特征在于,所述异常电压检测电路包括一导入单元,所述导入单元是由多个二极管串接组成,并具有多个检测输入端和一个输出端,前述导入单元的各个检测输入端分别和电源回路连接。

6.根据权利要求5所述的突波保护装置,其特征在于,所述异常电压检测电路进一步包含一逆向回路控制单元和一突波过滤单元;

所述逆向回路控制单元是在激磁线圈的顺向控制端和电源回路之间设有串接的二极管、电阻和晶体管(Q4),所述晶体管(Q4)的基极和导入单元的输出端连接,其发射极则接地;

所述突波过滤单元的输入端是和导入单元的输出端连接,所述突波过滤单元包括一电阻、一电容和一齐纳二极管,该电阻和电容相互串接,其串接节点通过齐纳二极管和逆向回路控制单元的晶体管(Q4)基极连接。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的突波保护装置,其特征在于,所述脉冲产生电路进一步和异常电压检测电路连接,所述异常电压检测电路包括一晶体管、一齐纳二极管和一发光二极管,晶体管的集电极和脉冲产生电路的第二晶体管基极连接,所述异常电压检测电路的晶体管的基极通过齐纳二极管、发光二极管和电源回路连接。

8.根据权利要求7所述的突波保护装置,其特征在于,电路回路的输出侧和输入侧分别设有一突波吸收电路,该些突波吸收电路分别由多个金属氧化物压敏电阻组成,各个金属氧化物压敏电阻分别跨接在电源回路的各线间。

9.根据权利要求7所述的突波保护装置,其特征在于,电路回路的输出侧和输入侧分别设有一突波吸收电路,该些突波吸收电路分别由两金属氧化物压敏电阻和一雷击管组成,两串接的金属氧化物压敏电阻是跨接在电源回路的L,N线间,两金属氧化物压敏电阻的串接节点通过该雷击管连接到电源回路的G线上。

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