[发明专利]净化单元及除臭装置无效
申请号: | 201210262613.3 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102895869A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 中谷守雄;日比野克俊;松村吉晋 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | B01D53/86 | 分类号: | B01D53/86;B01D53/58;B01D53/52;B01D53/72;A61L9/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 净化 单元 除臭 装置 | ||
技术领域
本发明涉及使用光催化剂结构体对空气中含有的净化对象物质进行净化的净化单元及除臭装置。
背景技术
近年来,使用含有光催化剂活性物质的光催化剂结构体来进行大气净化、除臭、净水、抗菌、防污、水分解的光催化剂装置的开发日益进展。光催化剂结构体通过照射规定波长的光而在膜面上引起氧化还原反应(光催化剂反应),从而对附着在膜面上的物质进行净化。这种光催化剂结构体通常通过在基板上层叠由氧化钛(TiO2)等构成的光催化剂膜而生成。
在使用了这样的光催化剂结构体的净化单元及除臭装置中,从吸气口取入装置周边的空气,使从光源射出的光向光催化剂膜照射,从而利用光催化剂膜对取入了的空气中含有的净化对象物质进行净化。此时,期望将从光源射出的光向光催化剂膜引导,以在光催化剂膜上效率良好地产生光催化剂反应。
发明内容
本发明的第一方面涉及一种利用光催化剂反应来净化空气的净化单元。该方面涉及的净化单元具备:射出光的第一光源;反射从所述第一光源射出的光的第一反射板;通过照射从所述第一光源射出的光来引起所述光催化剂反应的多个净化板。这里,在所述第一反射板与所述第一光源之间配置所述多个净化板中的至少一个所述净化板。从所述第一光源射出的光在透过配置于所述第一反射板与所述第一光源之间的所述净化板后被所述第一反射板反射,而向所述多个净化板照射。
本发明的第二方面涉及一种除臭装置。该方面涉及的除臭装置具备:上述第一方面涉及的净化单元;用于使空气在除臭装置内流动的风扇;用于控制所述风扇及所述净化单元的控制部。
本发明的上述目的、其它目的及新特征通过参照以下的附图来理解下述实施方式的说明而得以进一步完全地明确。
附图说明
图1A至1C是表示通过照射光来引起光催化剂反应的净化板的结构例的图,图1D是表示实施例涉及的净化板的结构的图。
图2是说明通过照射光来引起光催化剂反应的净化板的结构例的图。
图3A及3B是表示比较例涉及的净化板和光源的配置的示意图及实施例的配置原理涉及的净化板和光源的配置的示意图。
图4是实施例涉及的净化单元的分解立体图。
图5是表示实施例涉及的净化单元的净化板的结构的立体图。
图6是实施例涉及的净化单元的剖视图。
图7A及7B是表示在实施例涉及的净化板的交界面上产生的反射的图及反射的光的比例(反射率)的模拟结果。
图8是表示实施例涉及的净化单元内的空气的流动的图。
图9A至9E是表示图案1涉及的光源和反射板的位置的示意图及这种情况下的净化板的面上的光的强度分布的模拟结果。
图10A至10E是表示图案2涉及的光源和反射板的位置的示意图及这种情况下的净化板的面上的光的强度分布的模拟结果。
图11A至11E是表示图案3涉及的光源和反射板的位置的示意图及这种情况下的净化板的面上的光的强度分布的模拟结果。
图12A至12E是表示图案4涉及的光源和反射板的位置的示意图及这种情况下的净化板的面上的光的强度分布的模拟结果。
图13是表示实施例涉及的除臭装置的结构的图。
具体实施方式
其中,附图主要是用于说明,本发明的范围并不局限于此。
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。
<净化板的结构例>
首先,参照图1A~1C和图2,对通过照射光来引起光催化剂反应的净化板的结构例进行说明。
图1A是表示净化板C10的层叠结构的图,图1B是表示净化板C10的基板C11的凹凸结构C11a的图,图1C是表示凹凸结构C11a的二次电子照片的图。
参照图1A,净化板C10具有基板C11、透射膜C12、光催化剂膜C13、吸附膜C14。需要说明的是,图1A所示的z轴方向表示基板C11、透射膜C12、光催化剂膜C13、吸附膜C14的层叠方向。
基板C11由聚碳酸酯等透光性材料形成,折射率设定为1.6以使后述的波长405nm的青色的光透过80%以上。如图1B、1C所示,在基板C11的透射膜C12侧的面上,纵横均等地以固定间距排列有圆柱状的突起,从而形成凹凸结构C11a。凹凸结构C11a的间距(圆柱状突起的宽度)在纵横均为250nm,圆柱状突起的高度为175nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社,未经三洋电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210262613.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。