[发明专利]一种传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种传感器，其特征在于，包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿每一个感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，其中，

所述薄膜晶体管器件包括：位于衬底基板之上并与相邻的栅线连接的栅极；位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层；位于有源层之上的欧姆层；位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与相邻的数据线连接；

所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及位于透明电极之上的偏压电极，所述偏压电极与相邻的偏压线连接。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述一组栅线，包括两根单栅线，以及位于两根单栅线之间的多组双栅线，则

所述每个感测单元包括两个感测子单元，两个感测子单元的薄膜晶体管器件呈对角分布，且薄膜晶体管器件的栅极与相邻的单栅线或者相邻的双栅线中距离较近的一根连接。

3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述偏压线位于感测单元的两个感测子单元之间，与两个感测子单元的偏压电极交叉相连。

4.如权利要求1至3任一所述的传感器，其特征在于，还包括：

在每条数据线和每个光电二极管传感器件的接收电极的下方，依次位于栅极绝缘层之上的有源材料层和欧姆材料层；

位于一组数据线和每个薄膜晶体管器件的源极和漏极之上的光电二极管材料层、位于光电二极管材料层之上的透明电极材料层；

位于透明电极材料层和透明电极之上的第一钝化层，所述第一钝化层未覆盖偏压电极和偏压线；

位于第一钝化层之上，并位于源极、漏极及沟道上方的挡光条；

位于挡光条之上并覆盖基板的第二钝化层，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。

5.如权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述挡光条、偏压电极和偏压线的材质相同；所述光电二极管材料层、透明电极材料层、有源材料层和欧姆材料层分别与光电二极管、透明电极、有源层和欧姆层的材质相同。

6.如权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括：位于接收电极之上的N型半导体，位于N型半导体之上的I型半导体，以及位于I型半导体之上的P型半导体。

7.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形；

形成覆盖基板的栅极绝缘层，并通过一次构图工艺形成位于栅极上方的有源层的图形、位于有源层之上的欧姆层的图形、位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极的图形、与漏极连接的数据线的图形、与源极连接的接收电极的图形、位于接收电极之上的光电二极管的图形、位于光电二极管之上的透明电极的图形；

通过一次构图工艺形成第一钝化层的图形，所述第一钝化层未覆盖形成偏压电极和偏压线的区域；

通过一次构图工艺形成位于透明电极之上的偏压电极的图形、与偏压电极连接的偏压线的图形，以及位于源极、漏极及沟道上方的挡光条的图形。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成偏压电极的图形、偏压线的图形和挡光条的图形之后，进一步包括：

通过一次构图工艺形成覆盖基板的第二钝化层的图形，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。

9.如权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括N型半导体、I型半导体和P型半导体；所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述挡光条、偏压电极和偏压线的材质相同。