[发明专利]图案化基板及堆栈发光二极管结构无效
| 申请号： | 201210262028.3 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103227258A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 周秀玫;陈俊荣;叶昭呈 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 化基板 堆栈 发光二极管 结构 | ||
1.一种图案化基板，其特征在于，包括：
一基板，含有一(0001)面，具有多个间隔排列的凹陷结构形成于其中，进而使该基板具多个间隔排列的顶面，其中每一凹陷结构具有一底面与多个侧壁环绕该底面；以及
一介电遮蔽层，覆盖该些凹陷结构的底面及/或侧壁。
2.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该介电遮蔽层还覆盖该基板的每一该顶面的全部表面或部分表面。
3.根据权利要求2所述的图案化基板，其特征在于，该顶面实质是一平坦表面或是一弧形表面。
4.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该底面为一(0001)面。
5.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该介电遮蔽层材质为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛。
6.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该基板材质为蓝宝石、硅、碳化硅的材质。
7.一种堆栈发光二极管结构，其特征在于，包括：
权利要求1-6任一所述的图案化基板；
一未掺杂半导体磊晶层，设置在该介电遮蔽层与该基板上；以及
一发光组件，位在该未掺杂半导体磊晶层上。
8.根据权利要求7所述的堆栈发光二极管结构，其特征在于，该未掺杂半导体磊晶层位在该基板的该些顶面上而与该些凹陷结构之间形成多个空隙。
9.根据权利要求7所述的堆栈发光二极管结构，其特征在于，该未掺杂半导体磊晶层位在该基板上且填满该些凹陷结构。
10.根据权利要求8-9任一所述的堆栈发光二极管结构，其特征在于，该发光组件包括：
一n型半导体磊晶层，位在该未掺杂半导体磊晶层上；一发光层，位在该n型半导体磊晶层的一部分上而裸露该n型半导体磊晶层的部分区域；
一p型半导体磊晶层，位在该发光层上；
一第一电极，位在裸露的该n型半导体磊晶层的部分区域上；以及
一第二电极，位在该p型半导体磊晶层上。
11.根据权利要求10所述的堆栈发光二极管结构，其特征在于，该n型半导体磊晶层是一硅(Si)掺杂的n型半导体磊晶层，该p型半导体磊晶层是一镁(Mg)掺杂的p型半导体磊晶层。
12.根据权利要求10所述的堆栈发光二极管结构，其特征在于，还包括一透明导电层位在该第二电极与该p型半导体磊晶层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于隆达电子股份有限公司，未经隆达电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210262028.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子装置及其切换方法
- 下一篇：像素结构及薄膜晶体管
