[发明专利]一种片式热敏电阻器及其制造方法

权利要求书

1.一种片式热敏电阻器，包括基片，其特征在于：基片的上端面设有底层电极，底层电极的上端面设有热敏电阻层，热敏电阻层的上端面的两侧分别设有上层电极，所述热敏电阻层的上端面的中部设有保护层，且保护层位于两侧的上层电极的中间。

2.根据权利要求1所述的一种片式热敏电阻器，其特征在于：基片采用绝缘陶瓷基片。

3.一种如权利要求1或2所述的片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：其包括以下步骤：

步骤1：运用厚膜成膜技术或薄膜成膜技术，在基片上形成底层电极；

步骤2：运用薄膜成膜技术，在底层电极的上面，形成热敏电阻层；使用薄膜沉积工艺，将锰、钴、镍、铜、铁、银中的一种或其中几种的合金，沉积在底层电极上，形成热敏电阻层半成品；再将该半成品放入300至500℃的热处理箱中进行热处理，以形成具有电阻功能的热敏电阻层；

步骤3：使用薄膜沉积工艺，将金、钯、铂、银中的一种或其中几种的合金，分别沉积在热敏电阻层上端面的两侧上，并形成上层电极；

步骤4：运用厚膜成膜技术或薄膜成膜技术，在热敏电阻层的上端面中间形成保护层，且保护层位于两侧的上层电极之间；其中保护层的材料是树脂体系或硅的化合物体系。

4.根据权利要求3所述的一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤1之前还有：

步骤0：在基片上设置横向划槽和纵向划槽，横向划槽和纵向划槽将基片分隔成形状、大小相同的基片单体；

步骤4之后还有：

步骤5：沿着基片上的横向划槽和纵向划槽，将步骤5的产品分割成多个片式热敏电阻器单体。

5.根据权利要求3所述的一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤5后还有：

步骤6：对片式热敏电阻器单体进行性能测试，分选，包装，入库。

6.根据权利要求3所述的一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：在步骤1采用厚膜成膜技术时，使用丝网印刷的方式，将金、钯、铂、银中的一种或其中几种的合金的导体浆料印刷在基片上，形成底层电极半成品；再将该半成品放入850℃高温炉中烘烤，以形成具有导体功能膜层的底层电极。

7.根据权利要求3所述的一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：在步骤1采用薄膜成膜技术时，使用薄膜沉积工艺，将金、钯、铂、银中的一种或其中几种的合金，或是将镍、铬中的一种或其合金，沉积在基片上形成具有导体功能膜层的底层电极。

8.根据权利要求6或7所述的一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：在进行步骤1后，还需要进行：

步骤1.1：采用半导体工艺的光刻掩膜湿法蚀刻法、印刷掩膜溅射法、机械掩膜溅射法中的任何一种对底层电极进行图形化。

9.根据权利要求3所述的一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤4使用厚膜成膜技术，保护层采用树脂体系材料，使用丝网印刷的方式，将树脂体系的浆料印刷在热敏电阻层两侧的上层电极之间，形成保护层半成品；再将该半成品放入200℃低温固化炉或固化箱中，进行低温固化，以形成具有保护功能的保护层。

10.根据权利要求3所述的一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤4使用薄膜成膜技术，保护层的材料为硅的化合物，使用薄膜沉积工艺，将硅的化合物沉积在热敏电阻层上形成具有保护功能的保护层。