[发明专利]导电电极层开口式电控调光介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种电控调光介质，尤指一种导电电极层设计有开口的电控调光介质。

背景技术

近晶态液晶，又可称为近晶相液晶，具有光学各向异性、多稳态等特性，可以作为电控调光介质中的液晶材料，参见专利号为ZL 200710175959.9的中国发明专利“一种电控调光介质”中公开的内容。

在上述中国发明专利“一种电控调光介质”中，如图1所示，该电控调光介质包括两个基体层1、2，在该两个基体层1、2中间设有一个混合层3，该混合层3由近晶态液晶和添加物混合而成，在该两个基体层1、2朝向混合层3的一侧设有导电电极层4，该导电电极层4与电路驱动控制装置5连接。进一步地，该导电电极层4可按显示图案或文字的需要而分割成若干单元。

实际使用中，该电控调光介质通过电路驱动控制装置5向导电电极层4施加电信号，近晶态液晶分子31可呈现出不同的排列形态，且这些排列状态在无电的情况下保持稳定不变，从而该电控调光介质可在雾状遮光与全透明状态间切换，甚至在不同灰度阶的多种渐进状态间切换。这种电控调光介质可以广泛应用于建筑装饰装修、私密性控制区域、汽车电子和电子公告牌等领域。

举例来说，在两个该导电电极层4上施加100v、1000Hz左右高频交流电压，如图2，混合层3中的近晶态液晶分子31变为规则排列形态，此时，近晶态液晶分子31的长轴垂直于导电电极层平面，入射各近晶态液晶分子31的光线的折射不产生剧烈变化，入射光线可自由透过混合层3，从宏观上看，该电控调光介质呈现全透明状态。如图3，在两个该导电电极层4上施加100v、50Hz左右低频交流电压，混合层3中的添加物分子32在电场作用下产生往复运动，这种运动使近晶态液晶分子31发生扭转，形成乱序排列形态，因近晶态液晶分子31的各向异性，使入射各近晶态液晶分子31的光线的折射存在很大差异，即在微薄厚度的混合层3内，光折射率产生剧烈变化，入射光线发生强烈的散射，从宏观上看，该电控调光介质呈现雾状遮光状态。

但是，在实际制作电控调光介质时，如图1所示，基体层1、2的面积要比导电电极层4的面积略大，两个该导电电极层4之间产生的电场的外边界处的电力线6产生弯曲，如图2中标号6标示的粗虚线箭头所示，因此，在弯曲的电力线6附近的近晶态液晶分子31会顺着电力线弯曲的方向发生一定的倾斜，如图2，与呈竖直状的近晶态液晶分子31所在区域的电阻率相比，呈倾斜状的近晶态液晶分子31会使其所在区域的电阻率降低。因此，当两个导电电极层4上施加低频交流驱动电压信号（如100v、50Hz左右低频交流电压）时，处于电场内、外边界附近的近晶态液晶分子31会优先发生从规则排列形态向乱序排列形态的扭转，也就是说，当上述电信号施加后，从电场外边界到电场内部的近晶态液晶分子31是先后陆续发生扭转的。需要提及的是，电场的外边界外也存在极少量的近晶态液晶分子，这些近晶态液晶分子因无电场作用而不发生形态变化，但这些近晶态液晶分子因数量极少，因而不会影响到介质的显示效果。

那么，当两个导电电极层4上施加的低频交流驱动电压信号存在电压不足或驱动时间不够时，近晶态液晶分子31从规则排列形态向乱序排列形态变化的过程中，便会出现混合层3中部（即电场中部）呈规则排列形态的近晶态液晶分子31未完全转变为乱序排列形态的情况，从宏观上看，电控调光介质表现为雾状遮光状态存在残影，介质中心遮光不足，整体遮光不均匀。换句话说，该电控调光介质需以长时间、高电压驱动来克服残影缺陷，但长时间、高电压又给电控调光介质带来了费电、驱动时间过长、使用不便捷等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导电电极层开口式电控调光介质，该电控调光介质在呈现雾状遮光状态时不会出现残影，整个介质遮光均匀，显示图像效果好。

为了实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

一种导电电极层开口式电控调光介质，它包括两个基体层，在该两个基体层中间设有一个混合层，该混合层由近晶态液晶和添加物混合而成，在每个该基体层朝向该混合层的一侧设有一个导电电极层，每个该导电电极层均与电路驱动控制装置连接，其特征在于：在两个该导电电极层中的至少一个该导电电极层上设有开口。

若在两个所述导电电极层上均设有所述开口，则从垂直于所述导电电极层平面的方向看去，两个所述导电电极层的所述开口相交叠的面积不超过每个所述导电电极层上所述开口的总面积的10%。

每个所述导电电极层分割成相应的若干单元。

所述开口处于所述导电电极层内部或与所述导电电极层边缘相交。