[发明专利]动态控制电平移位电路

权利要求书

1.一种动态控制电平移位电路，包括:

一动态控制器，输出一动态电压以及一输出数据信号;

一电平移位器，受该动态控制器控制，包括一输入信号接收器、一输出信号产生器、以及一偏压电流控制器，串联于一地电压与一高电平电压，

其中该输入信号接收器接收该动态控制器的该输出数据信号，且该输出信号产生器根据该输出数据信号产生一移位数据电压信号，

其中该偏压电流控制器受该动态电压控制，当该移位数据电压信号在一稳定阶段时处于一第一电流输出程度，当该移位数据电压信号在一不稳定阶段时处于一第二电流输出程度，该第一电流输出程度大于该第二电流输出程度。

2.根据权利要求1所述的动态控制电平移位电路，还包括一偏压产生器输出一偏压，其中该动态控制器，包括:

一动态偏压产生器，接收该偏压与一第一电压控制信号，输出该动态电压，其中该动态电压是根据该第一电压控制信号输出一电位状态，以控制该电平移位器的该偏压电流控制器;以及

一触发器，接收一输入数据信号以及一第二电压控制信号，输出对应该输入数据信号的该输出数据信号，

其中该第一电压控制信号与该第二电压控制信号，在该移位数据电压信号是该不稳定阶段时有重迭。

3.根据权利要求2所述的动态控制电平移位电路，其中该第一电流输出程度是该电位状态处于一第一电压电平使该偏压电流控制器接近导通程度，该第二电流输出程度是该电位状态处于一第二电压电平使该偏压电流控制器接近关闭程度。

4.根据权利要求2所述的动态控制电平移位电路，其中该第一电压控制信号与该动态电压是同步。

5.根据权利要求2所述的动态控制电平移位电路，其中该第一电压控制信号与该第二电压控制信号是外部输入的两个信号，或是根据一输入信号后由内部产生该第一电压控制信号与该第二电压控制信号。

6.根据权利要求2所述的动态控制电平移位电路，其中该电平移位器包括:

该输入信号接收器，包括第一晶体管有第一栅极与第二晶体管有第二栅极，该第一栅极与该第二栅极分别接收该输出数据信号的一对互补数据信号;

该输出信号产生器，包括第三晶体管有第三栅极与第四晶体管有第四栅极，与该输入信号接收器串联耦接，以根据该对互补数据信号产生该移位数据电压信号，该移位数据电压信号也是一对互补电压信号，其中该第三栅极与该第四栅极交错输出该对互补电压信号;以及

该偏压电流控制器，包括第五晶体管有第五栅极与第六晶体管有第六栅极，与该输出信号产生器串联耦接，该第五栅极与该第六栅极受该动态电压的该电位状态所控制产生该第一电流输出程度或是该第二电流输出程度的二个导通状态。

7.根据权利要求6所述的动态控制电平移位电路，其中该输入信号接收器的该第一晶体管与该第二晶体管是N导电型金属氧化物半导体晶体管，该输出信号产生器的该第三晶体管与该第四晶体管是P导电型金属氧化物半导体晶体管，该偏压电流控制器的该第五晶体管与该第六晶体管是P导电型金属氧化物半导体晶体管。

8.根据权利要求7所述的动态控制电平移位电路，其中该第一电压控制信号与该动态电压是同步，且电压极性也相同。

9.根据权利要求7所述的动态控制电平移位电路，其中该动态偏压产生器包括:

第一N导电型金属氧化物半导体晶体管，有第一栅极与二个第一掺杂电极，其中该第一栅极接收该偏压产生器输出的该偏压，该二个第一掺杂电极的一者接地;

第二N导电型金属氧化物半导体晶体管有第二栅极与二个第二掺杂电极，其中该第二栅极接收该偏压产生器输出的该偏压，该二个第二掺杂电极的一者接地，另一者连接到一节点;

第一P导电型金属氧化物半导体晶体管，有第三栅极与二个第三掺杂电极，其中该第三栅极连接到该节点也输出该动态电压，该二个第三掺杂电极的一者连接到该节点，另一者连接到一电源;以及

第二P导电型金属氧化物半导体晶体管，有第四栅极与二个第四掺杂电极，其中该第四栅极接受该第一电压控制信号的控制，该二个第四掺杂电极的一者连接到该节点，另一者与该二个第一掺杂电极的另一者连接。