[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和包括该基板的显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：

基板；

第一电极层，位于所述基板上，包括栅极部；

第一绝缘层，覆盖所述第一电极层；

氧化物半导体层，位于所述第一绝缘层上；以及

第二电极层，位于所述氧化物半导体层上，包括源极部及漏极部，所述源极部及所述漏极部位于与所述栅极部相对应的两端；

其中，所述第二电极层的边缘位于所述氧化物半导体层的边缘内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述氧化物半导体层整面覆盖所述第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述氧化物半导体层包括第二间隔。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述氧化物半导体层为ZnO、IZO、IGZO、ITZO、ATZO、HIZO的其中一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二电极层的材料为单层铜。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述氧化物半导体层的上方。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二电极层与所述氧化物半导体层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二绝缘层具有接触孔洞，所述接触孔洞与所述源极部相对。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二绝缘层上具有像素电极层，所述像素电极层经由所述接触孔洞往下延伸而电性连接所述源极部。

10.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括：

驱动电路；

外观件；以及

显示面板，包括薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板，包括：

基板；

第一电极层，位于所述基板上，包括栅极部；

第一绝缘层，覆盖所述第一电极层；

氧化物半导体层，位于所述第一绝缘层上；以及

第二电极层，位于所述氧化物半导体层上，包括源极部及漏极部，所述源极部及所述漏极部位于与所述栅极部相对应的两端；

其中，所述第二电极层的边缘位于所述氧化物半导体层的边缘内。

11.根据权利要求10所述的显示器，其特征在于，所述氧化物半导体层整面覆盖所述第一绝缘层。

12.根据权利要求10所述的显示器，其特征在于，所述氧化物半导体层包括第二间隔。

13.根据权利要求10所述的显示器，其特征在于，所述氧化物半导体层为ZnO、IZO、IGZO、ITZO、ATZO、HIZO的其中之一或其组合。

14.根据权利要求10所述的显示器，其特征在于，所述第二电极层的材料为铜。

15.根据权利要求10所述的显示器，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述氧化物半导体层上。

16.根据权利要求10所述的显示器，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二电极层与所述氧化物半导体层。

17.根据权利要求16所述的显示器，其特征在于，所述第二绝缘保护层具有接触孔洞，所述接触孔洞与所述源极部相对。

18.根据权利要求17所述的显示器，其特征在于，所述第二绝缘层上具有像素电极层，所述像素电极层经由所述接触孔洞往下延伸而电性连接所述源极部。