[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210259128.0 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102903760A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 星子高广 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电型的半导体衬底；
半导体元件，形成于所述半导体衬底；
保护环，在所述半导体衬底上以包围所述半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成；
低洼部分，在所述半导体衬底上以包围所述保护环的方式形成得比所述半导体衬底的主面低；以及
沟道停止层，沿着所述低洼部分的内壁由第一导电型的扩散层形成。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
具备槽内保护环，该槽内保护环沿着在所述半导体衬底的主面以包围所述半导体元件的方式形成的沟槽的内壁由第二导电型的扩散层形成。
3.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电型的半导体衬底；
半导体元件，形成于所述半导体衬底；
槽内保护环，沿着在所述半导体衬底的主面以包围所述半导体元件的方式形成的沟槽的内壁、由第二导电型的扩散层形成；
第二导电型的导电膜，以填埋所述沟槽的方式形成；以及
浮置场板，在所述半导体衬底的主面的上方以包围所述半导体元件的方式形成。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
在所述导电膜的上方具备与所述导电膜连接的第二导电型的电位稳定化导电膜。
5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体衬底由宽带隙半导体形成。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓类材料、或者金刚石。
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