[发明专利]AMOLED器件的基板及其掩膜板无效
申请号: | 201210258744.4 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN102751294A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 金正学;洪宣杓 | 申请(专利权)人: | 四川虹视显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/027;C23C14/04 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 刘世平 |
地址: | 611731 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 器件 及其 掩膜板 | ||
技术领域
本发明涉及一种AMOLED器件的制造工艺,特别是涉及一种AMOLED器件的基板及其掩膜板。
背景技术
AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode主动矩阵有机发光二极体面板)器件的制造工艺分为:基板工序、蒸镀工序和封装工序。基板工序是在玻璃上面生成TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管),可以层积硅材料和金属材料。为了利用通过基板工序而形成的TFT来点亮面板,必须在TFT基板上进行有机物的蒸镀工序,有机物的蒸镀工序是将已汽化的有机物蒸镀在TFT基板上。目前在蒸镀工序中使用的AMOLED器件的基板如图1所示,掩模板如图2所示,其基板的R、G、B像素ITO(发光部分)与TFT像素电路(非发光部分)采用纵向方式依次排列,掩模板采用与其相匹配的结构,一般是如图2所示的条形的掩膜板,这种掩膜板中间是比较长的挖孔,该结构的基板和掩模板只适用于小尺寸的AMOLED器件的基板蒸镀,对于大尺寸的基板,因该掩模板的金属图形薄,导致在蒸镀设备上使用该掩模板时,掩模板的中心位置比边缘要下沉一些,这种下沉现象将使有机物蒸镀工序中掩模板的错误对位,导致有机物相互层叠,从而引起AMOLED器件的基板的混色,会导致显示的色彩错误。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种不会出现蒸镀对位问题和混色问题的AMOLED器件的基板及其掩膜板。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是:AMOLED器件的基板,包括R、G、B像素ITO与TFT像素电路,所述R、G、B像素ITO与TFT像素电路采用两两相依的对称排列结构。
掩膜板,所述掩模板的结构与上述的基板的结构相匹配,所述掩模板在中间的与TFT像素电路相对应部分上搭桥。
本发明的有益效果是:由于本发明掩模板是用搭桥相互连接的,具有较短排列的挖孔结构,可以防止有机物蒸镀工序时,有可能发生的掩膜板变形现象,同时可以正确蒸镀有机物,达到改善面板品质的目的。
附图说明
图1是现有的AMOLED器件的基板的结构示意图。
图2是现有的掩膜板的结构示意图。
图3是本发明的AMOLED器件的基板的结构示意图。
图4是本发明的掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
本发明的AMOLED器件的基板的结构如图3所示,其R、G、B像素ITO与TFT像素电路采用两两相依的对称排列结构,因此可以确保不需要蒸镀的TFT电路部分具有更宽的面积的优点,如图4所示,变更基板的像素结构,在变得更宽的TFT像素电路相对应部分上放入更宽的连接搭桥,因此可以制造出比现有的掩膜板更有效率的掩膜板。与现有的掩模板较长排列的挖孔结构相比较,本发明具有的较短排列的挖孔结构的掩模板,可有效改善掩膜板的变形情况。
另外,本发明在TFT像素电路的区域上配置金属线,利用此金属线来蒸镀有机物,改善掩模板的变形问题。这样配置的金属线可以用有机物蒸镀工序阶段中掩模板的引张操作来解决掩模板的变形现象。
本发明的掩模板中的横轴连接的金属线宽度比目前使用的金属线更宽,因此即使在量产上长期使用,可以使掩模板的变形最小化,提高量产的良率。
本发明的对位过程是:在已经形成的TFT的基板上,利用对位码和蒸镀用的金属掩膜板的对位码,相互进行匹配,从而将各个图形进行正确的整齐排列。利用本发明蒸镀有机物可以正确完成对位,从而改善蒸镀AMOLED有机物时可能发生的掩膜板变形现象,最终改善颜色重叠现象和对位不准确问题。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川虹视显示技术有限公司,未经四川虹视显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210258744.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于CDMA基站的移动通讯定位方法
- 下一篇:一种可折叠拖鞋
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的