[发明专利]发光元件的转移方法以及发光元件阵列

权利要求书

1.一种发光元件的转移方法，包括：

在第一衬底上形成多个阵列排列的发光元件，各发光元件包括元件层以及牺牲图案，且该牺牲图案位于该元件层与该第一衬底之间；

在该第一衬底上形成保护层以选择性地覆盖部分的发光元件，其中部分的发光元件未被该保护层所覆盖；

令未被该保护层所覆盖的元件层与第二衬底接合；以及

移除未被该保护层所覆盖的牺牲图案，以使部分的元件层与该第一衬底分离而转移至该第二衬底上。

2.根据权利要求1所述的发光元件的转移方法，其中在该第一衬底上形成该些发光元件的方法包括：

在成长衬底上依次形成第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层；

在该第一衬底上形成牺牲层；

令该第二型掺杂半导体层与该牺牲层接合；

令该第一型掺杂半导体层与该成长衬底分离；

图案化该第一型掺杂半导体层、该发光层、该第二型半导体层以及该牺牲层，以形成多个第一型掺杂半导体图案、多个发光图案、多个第二型掺杂半导体图案以及该牺牲图案；以及

在该些第一型掺杂半导体图案上形成多个电极。

3.根据权利要求2所述的发光元件的转移方法，其中该牺牲层包括栅状牺牲层。

4.根据权利要求1所述的发光元件的转移方法，其中该第二衬底包括线路衬底，该线路衬底具有多个接垫以及多个位于该些接垫上的导电凸块，而未被该保护层所覆盖的元件层通过部分的导电凸块而与接垫接合，且当未被该保护层所覆盖的牺牲图案被移除时，部分的元件层被转移至该线路衬底上。

5.根据权利要求4所述的发光元件的转移方法，还包括至少重复一次下述方法：

在第一衬底上形成多个阵列排列的发光元件，各发光元件包括元件层以及牺牲图案，且该牺牲图案位于该元件层与该第一衬底之间；

在该第一衬底上形成保护层以选择性地覆盖部分的发光元件，其中部分的发光元件未被该保护层所覆盖；

令未被该保护层所覆盖的元件层与第二衬底接合；以及

移除未被该保护层所覆盖的牺牲图案，以使部分的元件层与该第一衬底分离而转移至该第二衬底上，以将能够发出不同色光的元件层转移至该线路衬底上。

6.根据权利要求5所述的发光元件的转移方法，其中能够发出不同色光的元件层具有不同的厚度，而与能够发出不同色光的元件层接合的导电凸块具有不同的高度，以使能够发出不同色光的元件层的顶表面位于同一的水平高度上。

7.根据权利要求1所述的发光元件的转移方法，还包括：

在该第二衬底上的该些元件层上形成共通电极。

8.根据权利要求7所述的发光元件的转移方法，还包括：

在该共通电极上形成黑矩阵，该黑矩阵具有多个开口，且各该开口分别位于至少其中一个元件层上方。

9.根据权利要求1所述的发光元件的转移方法，还包括：

形成微透镜阵列，该微透镜阵列包括多个阵列排列的微透镜，且各该微透镜分别位于至少其中一个元件层上方。

10.根据权利要求1所述的发光元件的转移方法，其中在该第一衬底上形成该些发光元件的方法包括：

在成长衬底上依次形成第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层；

在该第二型掺杂半导体层上形成多个电极；

在该第一衬底上形成牺牲层；

令该牺牲层与该第二型掺杂半导体层以及该些电极接合；

令该第一型掺杂半导体层与该成长衬底分离；

图案化该第一型掺杂半导体层、该发光层、该第二型掺杂半导体层以及该牺牲层，以形成多个第一型掺杂半导体图案、多个发光图案、多个第二型掺杂半导体图案以及该些牺牲图案。

11.根据权利要求10所述的发光元件的转移方法，其中该牺牲层包括栅状牺牲层。

12.根据权利要求10所述的发光元件的转移方法，其中该第二衬底包括模版，该模版具有多个突出，而未被该保护层所覆盖的发光元件与该些突出接合，且当未被该保护层所覆盖的牺牲图案被移除时，部分的元件层被转移至该模版上。