[发明专利]作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法有效
| 申请号： | 201210257697.1 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103576445A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 徐春云 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 作为 刻蚀 光刻 方法 | ||
1.一种作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，包括下列步骤：
对晶圆进行涂胶；
对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；
对所述光刻胶进行曝光及显影；
对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~7.8微米；
以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述对晶圆进行涂胶的步骤包括：
对所述晶圆进行第一次涂胶；
对所述晶圆进行第二次涂胶；所述第一次涂胶和第二次涂胶之间不进行软烘。
3.根据权利要求2所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述光刻胶为AZ6130。
4.根据权利要求2或3所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述第一次涂胶和第二次涂胶步骤喷涂的光刻胶经甩胶后均为4.8微米厚。
5.根据权利要求4所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述软烘的烘烤温度为95摄氏度，烘烤时间为60秒。
6.根据权利要求4所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述软烘采用热平板烘烤工艺。
7.根据权利要求5或6所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述热坚膜的温度为120摄氏度，时间为30分钟。
8.根据权利要求1所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述硅槽的槽深为晶圆厚度的一半以上。
9.根据权利要求8所述的作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述晶圆厚度为380微米，所述槽深为300微米。
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