[发明专利]一种用于去除硅片表面污斑的清洗剂

说明书

技术领域

本发明属于清洗剂技术领域，涉及一种用于去除硅片表面污斑的清洗剂。该清洗剂可以去除太阳能表面的多晶、单晶硅表面形成的污斑。

背景技术

随着单晶硅、多晶硅切片技术发展，对于硅棒切割液回收也越来越重视，但多次回收的切割液因为高分子材料氧化变质以及溶液中金属离子的增多，所产生的絮凝物质就会沉积在切割的单晶硅，或多晶硅的表面，造成污斑，难于去除，从而影响了太阳能的单晶硅与多晶硅的质量。因此迫切需要开发与之配套的技术，控制切割、清洗操作流程中不形成污斑，或能够将形成的污斑洗掉。

从产生污斑的环境分析，主要是由于在切割过程有金属切割线在与晶片的摩擦过程中，部分以离子的形式溶解到环境中，同时与环境中的高分子化合物络合，这些络合在环境中溶解有限，在一定的条件下，将选择性的吸附到单晶或多晶某个晶面，形成污斑，因此控制表面形成的污斑，因从环境中的金属离子以及环境中所用的研磨剂中高分子着手。

发明内容

本发明的目的是针对目前清洗难题而研发的一种用于单晶硅与多晶硅表面污斑的清洗剂。

为了达到上述的目的，本发明解决技术问题所采取的技术方案是：

一种用于去除硅片表面污斑的清洗剂，由聚乙烯醇衍生物，辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯，OP，十二烷基硫基乙酸钠和水组成，其中，聚乙烯醇衍生物与金属离子络合，形成可溶性的高分子材料，而其余的组分，起到剥离表面已经沉淀的污斑的作用，具体的各组分的质量百分比含量为：

聚乙烯醇衍生物              20-40%，

辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯    30-50%，

OP                          1-3%，

十二烷基硫基乙酸钠          15-30%，

水                          2-10%，

其中：所述的聚乙烯醇衍生物的分子结构为

分子量为5000-40000，m1:m2=10:1，其反应产物是由聚乙烯醇与磷酸反应获得，其具体过程为：

本发明的用于去除硅片表面污斑的清洗剂的制备方法是将上所述的各组分物质，按比例放在搅拌器中搅拌均匀，然后灌装包装。

本发明与现有的清洗剂相比具有的优点和有益效果主要体现在：

1、用于单晶硅、多晶硅表面污斑的清洗，操作方便，去污快，效果好，同时还具有防止单晶硅、多晶硅表面形成污斑的功效。

2、制备工艺简单，成本低。

具体实施方式

实施例1：

聚乙烯醇衍生物              40%，

辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯    30%，

OP                          1%，

十二烷基硫基乙酸钠          20%，

水                          9%。

将上述配比组分放在搅拌器中搅拌均匀，灌装包装。

实施例2：

聚乙烯醇衍生物              20%，

辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯    50%，

OP                    3%，

十二烷基硫基乙酸钠    20%，

水                    7%。

将上述配比组分放在搅拌器中搅拌均匀，灌装包装。

实施例3：

聚乙烯醇衍生物              30%，

辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯    45%，

OP                          3%，

十二烷基硫基乙酸钠          17%，

水                          5%。

将上述配比组分放在搅拌器中搅拌均匀，灌装包装。

实施例4：

聚乙烯醇衍生物              30%，

辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯    30%，

OP                          3%，

十二烷基硫基乙酸钠          30%，

水                          7%。

将上述配比组分放在搅拌器中搅拌均匀，灌装包装。

实施例5：