[发明专利]有机发光像素的结构、制作方法以及驱动电路

权利要求书

1.一种有机发光像素结构，其特征在于，包括：

一扫描线；

一数据线，与该扫描线相交；

一电源线，与该扫描线相交；

一定电压线，与该数据线相交；

一第一晶体管，电性连接至该扫描线以及该数据线；

一第二晶体管，电性连接至该电源线以及该第一晶体管；

一像素电极，电性连接至该第二晶体管；

一有机发光单元，配置于该像素电极上；

一第一电容电极，电性连接至该第二晶体管与该第一晶体管，该第一电容电极与该像素电极彼此重叠；以及

一第二电容电极，电性连接至该定电压线，该第二电容电极与该像素电极彼此重叠，且该第二电容电极夹于该第一电容电极与该像素电极之间，使得该第一电容电极与该第二电容电极构成一第一电容而该第二电容电极与该像素电极构成一第二电容，其中该第一电容大于该第二电容。

2.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一电容电极的材质包括半导体材料。

3.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一电容电极包括一掺杂部以及一未掺杂部，该未掺杂部实质上被该第二电容电极遮蔽而该掺杂部实质上位于该未掺杂部周边并连接于该第二晶体管与该第一晶体管。

4.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该扫描线、该定电压线以及该第二电容电极由相同膜层构成。

5.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一电容电极的材质相同于该第一晶体管的一通道区以及该第二晶体管的一通道区。

6.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一晶体管具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，该第一电极电性连接该数据线，该第二电极电性连接该扫描线。

7.如权利要求6所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第二晶体管具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，该第一电极电性连接该电源线，该第二电极电性连接该第一晶体管的该第三电极以及该第一电容电极，该第三电极电性连接该像素电极。

8.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一晶体管以及该第二晶体管为P型晶体管时，该定电压线所传递的一固定电压为负偏压。

9.如权利要求1所述的有机发光像素结构，其特征在于，该第一晶体管以及该第二晶体管为N型晶体管时，该定电压线所传递的一固定电压为正偏压。

10.一种有机发光像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一图案化半导体层，该图案化半导体层包括一第一半导体图案区块、一第二半导体图案区块以及一第三半导体图案区块；

于该基板上形成一第一绝缘层覆盖该图案化半导体层；

于该第一绝缘层上形成一第一图案化导体层，该第一图案化导体层包括一第一栅极、一第二栅极以及一第二电容电极，其中该第一栅极、该第二栅极以及该第二电容电极分别位于该第一半导体图案区块、该第二半导体图案区块以及该第三半导体图案区块上方；

以该第一图案化导体层为掩膜对该图案化半导体层未被遮蔽的部分进行一掺杂工艺，使该第一半导体图案区块具有一第一通道区、一第一源极区以及一第一漏极区，该第二半导体图案区块具有一第二通道区、一第二源极区以及一第二漏极区，且该第三半导体图案区块具有一掺杂区以及一未掺杂区，其中该第三半导体图案区块作为一第一电容电极；

形成一第二绝缘层于该第一图案化导体层上；

在该第一绝缘层以及该第二绝缘层上分别形成多个第一接触窗以及多个第二接触窗，其中该些第一接触窗连通于部分该些第二接触窗而构成暴露出该第一源极区、该第一漏极区、该第二源极区、该第二漏极区以及该掺杂区的多个接触开口；

于该第二绝缘层上形成一第二图案化导体层，该第二图案化导体层包括一像素电极以及分别连接于该第一源极区、该第一漏极区、该第二源极区以及该第二漏极区的一第一源极导体、一第一漏极导体、一第二源极导体以及一第二漏极导体，且该像素电极连接于该第二漏极导体；以及

形成一有机发光单元于该像素电极上。