[发明专利]一种非易失性高速存储单元，其存储器及其内部数据转存的控制方法

权利要求书

1.一种非易失性高速存储单元，其包括双稳态锁存电路、非易失性存储电路和载入控制开关，该非易失性存储电路包括第一晶体管、可编程的第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管包括：

控制端，接受存储数据的控制电压；

第一端，连接到双稳态锁存电路的第一稳态端；

第二端；

所述可编程的第二晶体管包括：

控制端，连接到双稳态锁存电路的第二稳态端；

第一端，连接到第一晶体管的第二端；

第二端；

所述第三晶体管包括：

控制端，接受载入数据的辅助控制电压；

第一端，连接到所述可编程的第二晶体管的第二端；

第二端，连接到接地电位；

所述载入控制开关的一端连接到双稳态锁存电路的第二稳态端，另一端连接到可编程的第二晶体管的第一端，其控制端接受载入数据的控制电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性高速存储单元，其特征在于，所述非易失性高速存储单元还包括第一预置位控制开关，所述第一预置位控制开关的一端连接到所述双稳态锁存电路的第一稳态端，另一端连接到接地电位，其控制端接受预置位的控制电压。

3.根据权利要求1所述的非易失性高速存储单元，其特征在于，所述非易失性高速存储单元还包括第二预置位控制开关，所述第二预置位控制开关的一端连接到所述双稳态锁存电路的第二稳态端，另一端连接到高电位，其控制端接受预置位的控制电压。

4.一种存储器，其特征在于，其包括多个如权利要求1-3任一所述的的非易失性高速存储单元。

5.一种存储器内部数据转存的控制方法，其特征在于，所述存储器包括多个如权利要求1-3任一所述的非易失性高速存储单元，所述控制方法包括编程方法和载入方法，所述编程方法包括：

变压步骤，将所述双稳态锁存电路的供电电压升高以满足编程；

悬空步骤，通过将第三晶体管的控制端置接地电位关闭第三晶体管；

编程步骤，通过往第一晶体管的控制端送入一个高压脉冲导通所述第一晶体管，所述可编程的第二晶体管根据其第一端和其控制端的电压执行编程；

所述载入方法包括：

置“1”步骤，将所述双稳态锁存电路的第二稳态端置为高电位；

导通步骤，通过将第三晶体管的控制端置高电位导通第三晶体管；

载入步骤，通过往载入控制开关的控制端送入一个高压脉冲导通载入控制开关，所述双稳态锁存电路的第二稳态端在可编程的第二晶体管导通时放电至接地电位，在可编程的第二晶体管关闭时维持在高电位。

6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述置“1”步骤通过往双稳态锁存电路写入“1”来实现。

7.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述置“1”步骤通过利用第一预置位控制开关将所述第一稳态端的电压放电至接地电位来实现，所述第一预置位控制开关的一端连接到所述双稳态锁存电路的第一稳态端，另一端连接到接地电位，其控制端接受预置位的控制电压。

8.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述置“1”步骤通过利用第二预置位控制开关将所述第二稳态端的电压充电置高电位来实现，所述第二预置位控制开关的一端连接到所述双稳态锁存电路的第二稳态端，另一端连接到高电位，其控制端接受预置位的控制电压。