[发明专利]LED支架电镀中的镍上银工艺无效
| 申请号： | 201210255073.6 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103572337A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 甘宁 | 申请（专利权）人： | 江门市蓬江区亿晶五金电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/46 | 分类号： | C25D3/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 支架 电镀 中的 镍上银 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.LED支架电镀中的镍上银工艺，其特征在于：镍上银工艺的流程为：活化→预镀银→镀银，其中：
活化采用的是氰化钾和碳酸钾的混合溶液，氰化钾和碳酸钾的浓度都是3～20g/L；
预镀银采用的是氰化钾和氰化银的混合溶液，氰化钾的浓度为120～160g/L，氰化银的浓度为2.2～4g/L；
镀银采用的是氰化钾、氰化银和氢氧化钾的混合溶液，氰化银的浓度为12～15g/L，氰化钾的浓度为100～150g/L，氢氧化钾的浓度为0.2～0.5g/L。
2.根据权利要求1所述的镍上银，其特征在于：在所述活化的过程中，LED支架应通的电流的密度为0.3～1A/d㎡。
3.根据权利要求1所述的镍上银工艺，其特征在于：在所述预镀银的过程中，预镀银的镀液应保持在20～30℃，LED支架应通的电流密度为1.5～2.5A/d㎡。
4.根据权利要求1所述的镍上银工艺，其特征在于：在所述镀银的过程中，电镀液的温度应保持在20～30℃，且PH>12，LED支架应通电流的密度为0.5～1.5A/d㎡。
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