[发明专利]一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法

权利要求书

1.一种显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于其包括以下步骤：

1) 将抛光后的直拉硅片浸入硝酸铜溶液静置；

2) 将静置后的直拉硅片在去离子水中漂洗，取出后晾干；

3) 将上述晾干后的直拉硅片进行热处理；

4) 将上述热处理后的直拉硅片快速冷却； 

5) 将上述冷却后的直拉硅片水平置于择优腐蚀液中腐蚀，即可显示出直拉硅片中的空洞型缺陷。

2.根据权利要求1所述的显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于：步骤1)中所述的硝酸铜溶液的浓度为1~12mol/L，溶液温度为10 ~40℃，静置时间为5~30分钟。

3.根据权利要求1所述的显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于：步骤3)中所述的热处理气氛为以下的至少一种气体：氮气、氩气、氧气或者空气。

4.根据权利要求1所述的显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于：步骤3)中所述的热处理温度为700~1200℃，热处理时间为5分钟~7小时。

5.根据权利要求1所述的显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于：步骤4)中所述的快速冷却是指将硅片迅速从炉中取出，使其在空气中冷却。

6.根据权利要求1所述的显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于：步骤5)中所述的择优腐蚀液为0.15mol/L 的K₂Cr₂O₇与49％的氢氟酸按照体积比1:2混合制得的Secco腐蚀液，腐蚀时间为5~10分钟。

7.一种快速检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于包括如下步骤：

按照权利要求1所述的显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法制备直拉硅片样品；

直接用检测仪器观察上述制得的直拉硅片样品的抛光面。

8.根据权利要求7所述的快速检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于所述的检测仪器为光学显微镜或扫描电子显微镜。